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J-GLOBAL ID：201202243895174332   整理番号：12A1730741

強化駆動電流をもつバリアエンジニアヒ化物ーアンチモン化物ヘテロ接合トンネルFET

Barrier-Engineered Arsenide-Antimonide Heterojunction Tunnel FETs With Enhanced Drive Current

著者 (8件)： MOHATA Dheeraj (Pennsylvania State Univ., PA, USA) ,  RAJAMOHANAN Bijesh (Pennsylvania State Univ., PA, USA) ,  MAYER Theresa (Pennsylvania State Univ., PA, USA) ,  HUDAIT Mantu (Virginia Polytechnic Inst. and State Univ., VA, USA) ,  FASTENAU Joel (IQE, Inc., PA, USA) ,  LUBYSHEV Dmitri (IQE, Inc., PA, USA) ,  LIU Amy W. K. (IQE, Inc., PA, USA) ,  DATTA Suman (Pennsylvania State Univ., PA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 11  ページ： 1568-1570  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バンド間トンネル電界効果トランジスタ(TFET)は,サブkT/q急勾配スイッチングを示す能力のために,低V_cc(0.5V以下)論理スイッチとして開発されている。本レターでは,nチャネル中位スタガーGaAs_0.4Sb_0.6/In_0.65Ga_0.35As(Eb_eff=0.31eV)および高位スタガーGaAs_0.35Sb_0.65/In_0.7Ga_0.3As(Eb_eff=0.25eV)ヘテロ接合TFETを示し,それらの電気的特性をIn_0.7Ga_0.3Asホモ接合TFET(Eb_eff=0.58eV)と比較した。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  ヒ化物 ,  アンチモン化物 ,  ヘテロ接合 ,  半導体接合 ,  電気的性質
準シソーラス用語： トンネルFET ,  *トンネル電界効果トランジスタ ,  ホモ接合 ,  電気的特性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 強化 ,  駆動電流 ,  バリア ,  エンジニア ,  ヒ化物 ,  アンチモン化物 ,  ヘテロ接合 ,  トンネルFET