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J-GLOBAL ID：201202243956015534   整理番号：12A1123803

CdZnTe単結晶中の拡張欠陥濃度:成長後の冷却速度の効果

Concentration of extended defects in CdZnTe single crystals: Effects of cooling rate after growth

著者 (16件)： XU L. (State Key Lab. of Solidification Processing, School of Materials Sci. and Engineering, Northwestern Polytechnical ...) ,  XU L. (Brookhaven National Lab., Upton, NY 11973, USA) ,  JIE W. (State Key Lab. of Solidification Processing, School of Materials Sci. and Engineering, Northwestern Polytechnical ...) ,  BOLOTNIKOV A.e. (Brookhaven National Lab., Upton, NY 11973, USA) ,  ROY U.n. (FLIR Radiation Inc., 100 Midland Road, Oak Ridge, TN 37830, USA) ,  STEIN J. (FLIR Radiation Inc., 100 Midland Road, Oak Ridge, TN 37830, USA) ,  HOSSAIN A. (Brookhaven National Lab., Upton, NY 11973, USA) ,  CAMARDA G.s. (Brookhaven National Lab., Upton, NY 11973, USA) ,  KIM K-h. (Brookhaven National Lab., Upton, NY 11973, USA) ,  YANG G. (Brookhaven National Lab., Upton, NY 11973, USA) ,  GUL R. (Brookhaven National Lab., Upton, NY 11973, USA) ,  CUI Y. (Brookhaven National Lab., Upton, NY 11973, USA) ,  XU Y. (State Key Lab. of Solidification Processing, School of Materials Sci. and Engineering, Northwestern Polytechnical ...) ,  WANG T. (State Key Lab. of Solidification Processing, School of Materials Sci. and Engineering, Northwestern Polytechnical ...) ,  ZHA G. (State Key Lab. of Solidification Processing, School of Materials Sci. and Engineering, Northwestern Polytechnical ...) ,  JAMES R.b. (Brookhaven National Lab., Upton, NY 11973, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 355  号： 1  ページ： 84-87  発行年： 2012年09月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 成長直後のCdZnTe(CZT)インゴットから切断した二つのCZT結晶を解析したが,それらの結晶の間で唯一異なる点は結晶成長工程後の冷却速度である。白色X線回折トポグラフィ(WBXDT)と赤外(IR)透過分光法を用いて,拡張欠陥,例えば,Te含有物,転位および亜結晶粒界を特定し,定量化した。粒径分布と濃度に及ぼす冷却速度の効果を調査した。高速冷却結晶のWBXDTとIRの像から,転位と亜結晶粒界の密度が極めて高いことが明らかになったが,転位と亜結晶粒界は,全体積にわたって交差していて,深内部からほぼ表面まで広がっていた。さらに,IR解析から,高速冷却結晶におけるTe含有物濃度(10⁶cm^-3)は,低速冷却結晶における濃度(10⁵cm^-3)よりも高いことが明らかになった。後者の低速冷却結晶では,WBXDTとIRの両方の像とも,欠陥濃度が低くなると,明るくはっきりとした像になった。低速冷却速度が,成長直後のCZTインゴットのTe含有物濃度,並びに,含有物に起因した拡張欠陥を大幅に減少させることができると結論付けた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： テルル化物 ,  *カドミウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  化合物半導体 ,  単結晶 ,  *格子欠陥 ,  インゴット ,  トポグラフィー【形態】 ,  X線回折 ,  赤外分光法 ,  転位【結晶】 ,  結晶粒界 ,  *冷却速度 ,  *液相成長
準シソーラス用語： *拡張欠陥 ,  白色X線回折トポグラフィ ,  赤外透過分光法 ,  亜結晶粒界

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： CdZnTe ,  単結晶 ,  拡張欠陥 ,  成長 ,  冷却速度