原子層堆積法により作製したZn(O,S)バッファ層を有するワイドギャップCu(In,Ga)Se<sub>2</sub>太陽電池

NAKASHIMA Kazuya; KUMAZAWA Toyokazu; KOBAYASHI Taizo; MISE Takahiro; NAKADA Tokio

文献

J-GLOBAL ID：201202244026302777 整理番号：12A1584306

原子層堆積法により作製したZn(O,S)バッファ層を有するワイドギャップCu(In,Ga)Se₂太陽電池

Wide-Gap Cu(In,Ga)Se₂ Solar Cells with Zn(O,S) Buffer Layers Prepared by Atomic Layer Deposition

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資料名：
巻： 51 号： 10,Issue 2 ページ： 10NC15.1-10NC15.3 発行年： 2012年10月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

原子層堆積(ALD)技術によって成膜したZn(O,S)バッファ層を有するワイドギャップCu(In_0.4,Ga_0.6)Se₂太陽電池を検討した。光伝送及び反射測定により推定されたZn(O,S)層のバンドギャップエネルギー(E_g)は,3.2から3.6eVまで変化した。硫黄(S)-Zn(O,S)欠乏バッファ層を有する太陽電池は,伝導バンドオフセット(CBO)が崖型であるために,低い開路電圧(V_OC)を示した。一方,SリッチZn(O,S)バッファ層を有する太陽電池は,CBOがスパイク型であるために低い短絡電流密度(J_sc)を示した。CBO値が適切であっても,ベストの太陽電池効率はかなり低かった。これらの結果は,低効率の主な原因が,Zn(O,S)/Cu(In,Ga)Se₂界面での界面再結合ではなく,主にCu(In,Ga)Se₂(CIGS)吸収層中のバルク再結合であることを示している。(翻訳著者抄録)

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太陽電池 , 半導体薄膜

引用文献 (20件)：

1) I. Repins, M.A. Contreras, B. Egaas, C. DeHart, J. Scharf, C.L. Perkins, B. To, and R. Noufi: Prog. Photovoltaics 16(2008)235.
2) P. Jackson, D. Hariskos, E. Lotter, S. Paetel, R. Wuerz, R. Menner, W. Wischmann, and M. Powalla: Prog. Photovoltaics 19(2011)894.
3) M.A. Contreras, L.M. Mansfield, B. Egaas, J. Li, M. Romero, R. Noufi, E.R. Voigt, and W. Mannstadt: presented at 37th IEEE Photovoltaic Specialist Conf., 2011.
4) R. Herberholz, V. Nadenau, U. Ruhle, C. Koble, H.W. Schock, and B. Dimmler: Sol. Energy Mater. Sol. Cells 49(1997)227.
5) S. Siebentritt and U. Rau: Wide-Gap Chalcopyrites (Springer, Berlin, 2005) Chaps.1 and 5.

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原子層堆積法により作製したZn(O,S)バッファ層を有するワイドギャップCu(In,Ga)Se2太陽電池

原子層堆積法により作製したZn(O,S)バッファ層を有するワイドギャップCu(In,Ga)Se₂太陽電池