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J-GLOBAL ID：201202244039886530   整理番号：12A1016174

光起電素子に応用するFe₃S₄薄膜のマグネトロンスパッタ蒸着と熱硫化によるそれらの黄鉄鉱(FeS₂)への変換

Magnetron-sputter deposition of Fe₃S₄ thin films and their conversion into pyrite (FeS₂) by thermal sulfurization for photovoltaic applications

著者 (2件)： LIU Hongfei (Inst. of Materials Res. and Engineering (IMRE), A*STAR (Agency for Sci., Technol. and Research), 3 Res. Link ...) ,  CHI Dongzhi (Inst. of Materials Res. and Engineering (IMRE), A*STAR (Agency for Sci., Technol. and Research), 3 Res. Link ...)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 30  号： 4  ページ： 04D102-04D102-5  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,室温で直流マグネトロンスパッタリングにより蒸着したFe₃S₄を硫化して,FeS₂(黄鉄鉱)薄膜を作製した結果を報告する。選んだスパッタリング条件下で,Fe₃S₄ナノ結晶膜が得られた。ナノ結晶は,膜が厚くなると,局所的にクラスタ化し,米形のナノ粒子へと密に充填される傾向となった。一方,膜が~1.3μm以上に厚くなると,膜に亀裂が入る傾向となった。膜の亀裂発生は,Fe₃S₄を蒸着する前に3nm Cu中間層と導入すると効率良く防ぐことができた。しかし,3nmのAl中間層の導入では膜の亀裂発生が増える傾向となった。チューブ炉中でFe₃S₄薄膜の成長後熱硫化を行うと,X線回折を用いて決定した高い純度のFeS₂が得られた。光吸収分光法を用いて,得られたFeS₂薄膜を特性評価し,各々0.9,1.2eVに2つの吸収端を明らかにした。これら2つの吸収端は,各々,FeS₂の直接型バンドギャップ(0.9eV)と間接型許容遷移(1.2eV)に帰属した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： マグネトロンスパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  *硫化鉄 ,  *黄鉄鉱 ,  蒸着膜 ,  ナノ結晶 ,  膜厚 ,  クラスタ化 ,  微小亀裂 ,  銅 ,  層 ,  アルミニウム ,  X線回折分析 ,  光吸収スペクトル ,  *吸収端 ,  バンドギャップ ,  許容遷移 ,  スペクトル線帰属 ,  光起電素子 ,  *硫化
準シソーラス用語： *直流マグネトロンスパッタリング ,  中間層

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 光起電素子 ,  応用 ,  薄膜 ,  マグネトロン ,  スパッタ蒸着 ,  硫化 ,  黄鉄鉱