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J-GLOBAL ID：201202244175455993   整理番号：12A0583984

アモルファス相での,Ge₂Sb₂Te₅ナノワイヤの,サイズ依存する核形成速度と結晶化の活性化エネルギー

Size-dependent nucleation rate of Ge₂Sb₂Te₅ nanowires in the amorphous phase and crystallization activation energy

著者 (1件)： LI M.
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 76  ページ： 138-140  発行年： 2012年06月01日 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低次元材料の,サイズ依存する融点に基づいて,アモルファス相中の,Ge₂Sb₂Te₅ナノワイヤの,サイズ依存する結晶化の活性化エネルギーと核形成速度のための,簡単で統一されたモデルを確立した。このモデルは,調整パラメータを全く持たず,ナノ結晶のサイズの低下に伴う,アモルファス相中の,結晶化活性化エネルギーの減少傾向と核形成速度の増大傾向を予測する。両現象は,サイズの低下による,体積に対する表面の比の増加に起因するもので,表面原子が重要な役割を果たす。モデルでの予測は,Ge₂Sb₂Te₅ワイヤの入手できる実験結果と良く一致し,相変化メモリ・ナノ材料の結晶化挙動を理解するための,簡単な方法を提供するものである。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： アンチモン化合物 ,  ゲルマニウム化合物 ,  テルル化物 ,  速度 ,  核形成 ,  *サイズ効果 ,  *化合物半導体 ,  *結晶化 ,  *活性化エネルギー ,  *ナノワイヤ ,  モデル ,  非晶質 ,  *不揮発性メモリ ,  PRAM【メモリ】
準シソーラス用語： アモルファス相 ,  サイズ依存性 ,  *テルル化ゲルマニウムアンチモン ,  *核形成速度 ,  相変化メモリ

分類 (3件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  固相転移  (BL04020G)

タイトルに関連する用語 (6件)： アモルファス相 ,  ワイヤ ,  サイズ ,  核形成速度 ,  結晶化 ,  活性化エネルギー