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J-GLOBAL ID：201202244578173980   整理番号：12A0215122

NiFe_1.925Dy_0.075O₄薄膜の微細構造に対するアニーリングの効果

Effect of annealing on the microstructure of NiFe_1.925Dy_0.075O₄ thin films

著者 (4件)： BHARATHI K. Kamala ,  VEMURI R.s. ,  NOOR-A-ALAM M. ,  RAMANA C.v.
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 520  号： 6  ページ： 1794-1798  発行年： 2012年01月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： RFスパッター蒸着を用いてジスプロシウムドープニッケル-フェライト(NiFe_1.925Dy_0.075O₄)薄膜を作製した。構造研究は,NiFe_1.925Dy_0.075O₄膜の構造発展に対して蒸着後アニーリングの効果が重要であることを示した。成長した状態のNiFe_1.925Dy_0.075O₄膜は非晶質だった。450~1000°Cでの空中におけるアニーリング(T_a)は,逆スピネル構造に結晶化するナノ結晶NiFe_1.925Dy_0.075O₄膜を形成させ,平均結晶粒寸法(L)は,T_aが450から1000°Cまで上昇するとともに,5から40nmに増大した。NiFe_1.925Dy_0.075O₄膜の格子定数は,Fe³⁺イオンがDy³⁺により部分的に置換されるためにNiFe₂O₄のそれと比較して高い。T_aが450から1000°Cまで上昇するとともに格子パラメータは8.352から8.362Åまで増大するが,これは,T_aの上昇とともにNiFe_1.925Dy_0.075O₄膜中で発達する格子歪みに帰着される。NiFe_1.925Dy_0.075O₄膜の対応する密度はアニーリング温度とともに3.2から3.9g/cm³に増大した。磁化測定は,すべての膜の強磁性挙動を示し,300Kでの保磁力値は,成長した状態の膜そしてT_a=1000°C膜に対してそれぞれ0.0134Tおよび0.0162Tであることを見出した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化物 ,  ニッケル化合物 ,  *鉄化合物 ,  ジスプロシウム化合物 ,  *熱処理 ,  *スパッタ蒸着 ,  ドーピング ,  蒸着膜 ,  非晶質 ,  *結晶化 ,  粒径 ,  格子定数 ,  密度 ,  *磁性薄膜 ,  *強磁性 ,  保磁力 ,  微細構造

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  微細構造 ,  アニーリング