効率的な太陽電池の開発のための計算機模擬によるa-Si:Hのp-i-n層のバンドギャップ最適化

SINGH Sukhbir; KUMAR Sushil; DWIVEDI Neeraj

文献

J-GLOBAL ID：201202244667520286 整理番号：12A0611480

効率的な太陽電池の開発のための計算機模擬によるa-Si:Hのp-i-n層のバンドギャップ最適化

Band gap optimization of p-i-n layers of a-Si:H by computer aided simulation for development of efficient solar cell

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=12A0611480&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=12A0611480&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=E0099A") }}

著者 (3件)： , ,
資料名：
巻： 86 号： 5 ページ： 1470-1476 発行年： 2012年05月
JST資料番号： E0099A ISSN： 0038-092X CODEN： SRENA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

p-層バンドギャップとその厚さは水素化された非晶質シリコン(a-Si:H)p-i-n太陽電池の効率に大きな影響を及ぼす。iとn-層バンドギャップも重要な役割を果たす。この研究では,p,i,nバンドギャップがそれぞれ,2.1ev(厚さ10nm),1.75ev(厚さ400nm),1.95ev(厚さ30nm),アクセプターとドナー濃度がそれぞれ1×10¹⁸cm^-3,1×10²⁰cm^-3を,効率的なa-Si:Hp-i-n太陽電池を得るために,計算機による1次元AFORSHETソフトウェアにより,最適化する。p-層厚さが5nmに変化すると,p-層バンドギャップが2.2eVで最大効率が得られるということを言うのは重要である。そのような最適化した値は効率的なa-Si:Hp-i-n太陽電池を実験的に調製するのをさらに助ける。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

, , , , , , , ,

太陽電池

, , , ,

前のページに戻る