文献

J-GLOBAL ID：201202244778101053   整理番号：12A0869497

熱電子真空アークによるシリコンとガラスの基板上のZnS薄膜蒸着

ZnS thin film deposition on Silicon and glass substrates by Thermionic vacuum Arc

著者 (4件)： OEZKAN M. (Eskisehir Osmangazi Univ., Art and Sci. Fac., Physics Dep., Eskisehir 26480, TUR) ,  EKEM N. (Eskisehir Osmangazi Univ., Art and Sci. Fac., Physics Dep., Eskisehir 26480, TUR) ,  PAT S. (Eskisehir Osmangazi Univ., Art and Sci. Fac., Physics Dep., Eskisehir 26480, TUR) ,  BALBAG M.z. (Eskisehir Osmangazi Univ., Education Fac., Primary Education, Eskisehir 26480, TUR)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 15  号： 2  ページ： 113-119  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 初めて熱電子真空アーク(TVA)技法を用いて,シリコン(Si)とガラスの基板に硫化亜鉛(ZnS)をコーティングした。この技法により,試料のコーティング時間は非常に短く,コーティングプロセス中に膜厚を制御できた。更に,TVAにより,他の蒸着技法に比べて,コンパクト性,低い粗さ,ナノ構造,均一性等の,蒸着した薄膜の多くの利点が得られた。高品質ZnS薄膜の蒸着のための種々の技法を述べた。走査電子顕微鏡観察(SEM),エネルギー分散X線分光法(EDX),及び原子間力顕微鏡観察(AFM)を用いて,コーティングしたシリコンとガラスの表面形態の特性を調べた。加えて,紫外可視分光光度計と干渉計により,ZnSをコーティングしたガラス試料の透過率,厚み,及び屈折率を測定し,その光学的性質を調べた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 熱電子放出 ,  真空アーク ,  ケイ素 ,  ガラス ,  基板 ,  硫化亜鉛 ,  薄膜成長 ,  イオンめっき ,  *半導体薄膜 ,  X線回折分析 ,  顕微鏡観察 ,  原子間力顕微鏡 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： 真空アーク蒸着

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 真空アーク ,  シリコン ,  ガラス ,  ZnS ,  薄膜蒸着