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J-GLOBAL ID：201202244781184199   整理番号：12A1571231

大電力レベルへの準備

Preparing For High Power Levels

資料名： Microwaves & RF  (Microwaves & RF)
巻： 51  号： 9  ページ： 48,50  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： C0037B  ISSN： 0745-2993  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TWTやLDMOS,GaN FETの電力レベルが高くなってきており,マイクロ波部品や素子の許容電力を知ることは重要になっている。レーダや電子戦プラットホームなどの出力規制を受けないシステムは,出力の上限は電子部品から主として決まる。ここでは,プリント基板を含めて許容電力を決定するための要素について述べた。熱による損傷,熱膨張による信頼性低下の問題,放熱の問題について簡単に触れ,熱管理の重要性について説明した。基板の熱伝導度については,伝導度の高い基板を提供可能なメーカをいくつか紹介した。発熱源を含む実装された基板上の温度分布を求めて設計に役立てるCAEソフトウェアについても紹介した。また熱分布測定についても簡単に述べた。

シソーラス用語： マイクロ波回路 ,  *電力増幅器 ,  *プリント基板 ,  *マイクロ波 ,  *発熱 ,  熱放射 ,  熱伝導率 ,  CAE【計算機】 ,  進行波管 ,  窒化ガリウム ,  温度分布
準シソーラス用語： 技術動向 ,  *大電力マイクロ波 ,  *熱発生 ,  放熱

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (1件)： 電力レベル