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J-GLOBAL ID：201202244939231459   整理番号：12A0340908

PIN-PMN-PT単結晶の成長と圧電/強誘電特性

Growth and piezo-/ferroelectric properties of PIN-PMN-PT single crystals

著者 (5件)： LI Xiuzhi (Key Lab. of Optoelectric Materials Chemistry and Physics, Fujian Inst. of Res. on Structure of Matter, Chinese Acad. ...) ,  WANG Zujian (Key Lab. of Optoelectric Materials Chemistry and Physics, Fujian Inst. of Res. on Structure of Matter, Chinese Acad. ...) ,  HE Chao (Key Lab. of Optoelectric Materials Chemistry and Physics, Fujian Inst. of Res. on Structure of Matter, Chinese Acad. ...) ,  LONG Xifa (Key Lab. of Optoelectric Materials Chemistry and Physics, Fujian Inst. of Res. on Structure of Matter, Chinese Acad. ...) ,  YE Zuo-guang (Dep. of Chemistry and 4D LABS, Simon Fraser Univ., 8888 Univ. Drive, Burnaby, British Columbia, V5A 1S6, CAN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 3  ページ： 034105  発行年： 2012年02月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トップシード溶液成長(TSSG)法により寸法が35×38×15mm³の三成分固溶結晶0.19Pb(In_1/2Nb_1/2)₃-0.46Pb(Mn_1/3Nb_2/3)O₃-0.35PbTiO₃[PINNT(19/46/35)]を成長させた。この成長させた結晶の誘電,圧電及び強誘電特性を評価した。この三元圧電結晶のCurie温度はT_C=190°Cで正方-斜方相転移温度はT_R-T=130°Cであり,これはPMN-PT結晶のT_C約155°C及びT_R-T約80°Cと比較すると著しく高い。室温の誘電率(ε′)及び誘電正接(tanδ)は4300及び0.40である。圧電定数d₃₃は2380pC/Nである。室温の縦電気機械結合係数k₃₃は90%に達する。Eが約±14kV/cmで0.13%のp-p双極歪値が得られた。抗電場E_c及び残留分極P_rはそれぞれ5.50kV/cm及び27.10μC/cm²であり,これらもPMN-PT結晶での値よりも向上した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *強誘電体 ,  *鉛化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *ニオブ酸塩 ,  *マンガン化合物 ,  *チタン酸鉛 ,  三成分系 ,  置換型固溶体 ,  液相成長 ,  *結晶成長 ,  逐次相転移 ,  転移温度 ,  誘電率 ,  誘電正接 ,  結合係数 ,  電歪 ,  抗電場 ,  残留分極 ,  圧電気 ,  単結晶
準シソーラス用語： 圧電定数 ,  電気機械結合係数

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I)

タイトルに関連する用語 (4件)： PMN-PT ,  単結晶の成長 ,  圧電 ,  強誘電特性