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J-GLOBAL ID:201202244946321510   整理番号:12A0727618

高温超伝導体の渦ピン止め機構としてのナノスケール歪誘起対抑制

Nanoscale strain-induced pair suppression as a vortex-pinning mechanism in high-temperature superconductors
著者 (23件):
資料名:
巻: 11  号:ページ: 329-336  発行年: 2012年04月 
JST資料番号: W1364A  ISSN: 1476-1122  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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大型超伝導体用途の発展に伴う,第二種超伝導体の発見以来重要問題である量子化渦のピン止め中心をもつ高温超伝導体(HTS)への要求を背景として,HTSナノ複合体での新種渦ピン止め機構を実証した。YBa2Cu3O7(YBCO)及びYBCO-MOの軸配向薄膜を有機金属前駆体溶液のLaAlO3及びSrTiO3基板へのエピタキシャル析出によって調製した。膜の微細構造及びランダム配向ナノロッド分率をX線回折で定量し,またX線回折線広がりから膜のナノ歪を解析した。STEM観察で断面の構造を調べ,Peak Pairs解析で歪マップを求めた。輸送臨界電流密度測定でナノスケール歪と渦ピン止め特性との関係を調べ,また高磁場磁気抵抗測定を行った。4種類のランダム配向ナノドットでナノ歪に関連する顕著な渦ピン止め増強を実証し,また,事実上異方性でも,ナノ歪が等方性に変わるにしたがって等方性の渦-ピン止め挙動への特異な進展が達成されることなどを結言した。ここに,MO:BaZrO3,Y2O3,BaCeO3,Ba2YTaO6である。
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分類 (2件):
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酸化物系超伝導体の物性  ,  酸化物薄膜 

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