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J-GLOBAL ID：201202244959314350   整理番号：12A1006062

3C-SiCにおける積層欠陥の機械的性質のab initio計算:応力およびドーピングの効果

Ab initio calculation of mechanical properties of stacking fault in 3C-SiC: Effect of stress and doping

著者 (3件)： UMENO Yoshitaka (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  YAGI Kuniaki (HOYA Corp., Kanagawa, JPN) ,  NAGASAWA Hiroyuki (HOYA Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 717/720  号： Pt.1  ページ： 415-418  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： 3C-SiC ,  積層欠陥 ,  機械的性質 ,  計算 ,  応力 ,  ドーピング