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J-GLOBAL ID：201202245029911304   整理番号：12A0337535

CdS/CdTe薄膜太陽電池のためのMoO_xバックコンタクト:調製,デバイス特性および安定性

MoO _x back contact for CdS/CdTe thin film solar cells: Preparation, device characteristics, and stability

著者 (7件)： LIN Hao (Dep. of Chemical Engineering, Univ. of Rochester, NY 14627, USA) ,  IRFAN (Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Rochester, NY 14627, USA) ,  XIA Wei (Dep. of Chemical Engineering, Univ. of Rochester, NY 14627, USA) ,  WU Hsiang N. (Dep. of Chemical Engineering, Univ. of Rochester, NY 14627, USA) ,  GAO Yongli (Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Rochester, NY 14627, USA) ,  TANG Ching W. (Dep. of Chemical Engineering, Univ. of Rochester, NY 14627, USA) ,  TANG Ching W. (Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Rochester, NY 14627, USA)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 99  ページ： 349-355  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新規なMoO_xバックコンタクトバッファーが薄膜CdS/CdTe太陽電池のためにうまく開発された。良好なオーミックコンタクトを達成するために,熱的蒸発によるMoO_x堆積に先立ってCdTe表面から表面残渣を取り除くための水洗浄ステップが必要である。高い仕事関数バッファーとしてMoO_xを用いると,p-CdTeへのオーミックバックコンタクトを実現する電極として種々の金属が使用できることになる。金属電極とCdTeの間の相互作用を最小化する拡散障壁として働くMoO_xバッファーによりCdTeの熱的および光曝露安定性もまた改善される。Cd/Te太陽電池のためのバックコンタクトとしてのMoO_x/Niにより最良の性能が得られている。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 硫化カドミウム ,  *テルル化カドミウム ,  *太陽電池 ,  半導体薄膜 ,  *酸化モリブデン ,  *バッファ層 ,  光吸収スペクトル ,  電流電圧特性 ,  焼なまし ,  熱安定性
準シソーラス用語： 薄膜太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： CdS ,  CdTe ,  薄膜太陽電池 ,  バックコンタクト ,  調製 ,  デバイス特性 ,  安定性