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J-GLOBAL ID：201202245038053620   整理番号：12A0344629

高分極単一-c-ドメイン単結晶Pb(Mn,Nb)O₃-PZT薄膜

Highly Polarized Single-c-Domain Single-Crystal Pb(Mn,Nb)O₃-PZT Thin Films

著者 (7件)： WASA Kiyotaka (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  ADACHI Hideaki (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  NISHIDA Ken (National Defense Acad., Yokosuka, JPN) ,  YAMAMOTO Takashi (National Defense Acad., Yokosuka, JPN) ,  MATSUSHIMA Tomoaki (Panasonic Electric Works, Osaka, JPN) ,  KANNO Isaku (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KOTERA Hidetoshi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control  (IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control)
巻： 59  号： 1  ページ： 6-13  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： H0369A  ISSN： 0885-3010  CODEN： ITUCER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マグネトロンスパッタリングと後続の急冷処理を用い,(100)MgO基板上に単一-c-dメイン/PZTベース三元ペロブスカイトPb(Mn,Nb)O₃-PZT単結晶薄膜を作製した。このPMnN-PZT薄膜は,面内残留圧縮応力が200~300MPaの面内緩和正方晶構造を示し,非常に高いE_c,P_r及びT_cと小さな誘電定数を有する強誘電特性を示した。1~μmの薄膜を用いた片持梁を作製し,圧電特性を評価した。

シソーラス用語： *圧電体 ,  単結晶 ,  鉛化合物 ,  マンガン化合物 ,  ニオブ化合物 ,  酸化物 ,  マグネトロンスパッタリング ,  急冷 ,  ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  誘電体薄膜 ,  正方晶系 ,  強誘電性 ,  片持梁 ,  *薄膜
準シソーラス用語： *圧電性薄膜 ,  高分極 ,  微小片持梁

分類 (1件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (9件)： 高分極 ,  ドメイン ,  単結晶 ,  Pb ,  Mn ,  Nb ,  O3 ,  PZT ,  薄膜