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J-GLOBAL ID：201202245043402862   整理番号：12A1549389

希土類(Eu,Tb,Ho)と遷移金属(Co)を共ドープしたBiFeO₃薄膜の作製と性質

Preparation and properties of rare earth (Eu, Tb, Ho) and transition metal (Co) co-doped BiFeO₃ thin films

著者 (5件)： RAGHAVAN C. M. (Changwon National Univ., Dep. of Physics, 641-773, Changwon, KOR) ,  KIM J. W. (Changwon National Univ., Dep. of Physics, 641-773, Changwon, KOR) ,  KIM H. J. (Changwon National Univ., Dep. of Physics, 641-773, Changwon, KOR) ,  KIM W. J. (Changwon National Univ., Dep. of Physics, 641-773, Changwon, KOR) ,  KIM S. S. (Changwon National Univ., Dep. of Physics, 641-773, Changwon, KOR)
資料名： Journal of Sol-Gel Science and Technology  (Journal of Sol-Gel Science and Technology)
巻： 64  号： 1  ページ： 178-183  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： W0812A  ISSN： 0928-0707  CODEN： JSGTEC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電性(Bi_0.9RE_0.1)(Fe_0.975Co_0.025)O_3-δ(RE=Eu,Tb,Ho)薄膜をPt(111)/Ti/SiO₂/Si(100)基板に化学溶液堆積法で作製した。X線回折とRaman散乱分析から全ての膜は歪んだ菱面体晶ペロブスカイト構造に結晶化した。純粋なBiFeO₃薄膜に比べ,共ドープした薄膜は向上した電気特性と強誘電特性を示した。薄膜の中で,(Bi_0.9Ho_0.1)(Fe_0.975Co_0.025)O_3-δ薄膜が最低の漏洩電流密度4.28×10^-5A/cm²を印可電圧100kV/cmで示した。この値は,純粋なBFO薄膜のそれよりも約3桁低かった。更に,(Bi_0.9Ho_0.1)(Fe_0.975Co_0.025)O_3-δ薄膜は60.2μC/cm²の大きな残留分極と980kV/cmで561kV/cmの低い抗電界を示した。Copyright 2012 Springer Science+Business Media, LLC Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *誘電体薄膜 ,  強誘電体 ,  *ビスマス化合物 ,  *フェライト ,  *鉄化合物 ,  *ユウロピウム ,  *テルビウム ,  *ホルミウム ,  *コバルト ,  ドーピング ,  溶液成長 ,  結晶化 ,  三方晶系 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  電流密度 ,  漏れ電流 ,  残留分極 ,  抗電場 ,  ウエハ【IC】 ,  白金 ,  チタン ,  多層膜 ,  硝酸塩 ,  ユウロピウム化合物 ,  テルビウム化合物 ,  ホルミウム化合物 ,  コバルト化合物 ,  *セラミック被覆 ,  エーテル ,  脂肪族アルコール ,  ジオール ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： シリカ ,  ケイ素基板 ,  *ビスマスフェライト ,  化学溶液堆積法 ,  共ドーピング ,  *強誘電性薄膜 ,  硝酸コバルト ,  硝酸テルビウム ,  硝酸ビスマス ,  硝酸ホルミウム ,  硝酸ユウロピウム ,  硝酸鉄 ,  漏れ電流密度

分類 (3件)： 非金属材料へのセラミック被覆  (YC02040K) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

物質索引 (2件)： 2-メトキシエタノール ,  エチレングリコール

タイトルに関連する用語 (11件)： 希土類 ,  Eu ,  Tb ,  Ho ,  遷移金属 ,  CO ,  ドープ ,  BiFeO3 ,  薄膜 ,  作製 ,  性質