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J-GLOBAL ID:201202245088181034   整理番号:12A0836296

制御SBU方式を用いた金属および溶融シリカ表面上へのMOF-5薄膜の室温調製法

Room temperature preparation method for thin MOF-5 films on metal and fused silica surfaces using the controlled SBU approach
著者 (7件):
資料名:
巻: 159  ページ: 132-138  発行年: 2012年09月01日 
JST資料番号: E0642C  ISSN: 1387-1811  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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IRMOFシリーズの一つの代表として,制御SBU方式(CSA)(SBU=二次的構築単位)を応用して自己集合した単分子修飾金属および溶融シリカ表面上にMOF-5を堆積した。制御SBU方式は表面上にIRMOFや他のMOF(金属-有機骨格)型を堆積する二三の場合に既に用いられているが,この投稿はSAM(自己集合単分子層)被覆基質上へのIRMOFの堆積の基本的な過程と関連した最初の研究であり,SBU前駆体とSAMとの間のカルボキシラート交換,種々の基質の影響,または異なる繰り返し調製法に由来する形態の相違を研究した。表面への最初のSBU層(塩基性パーフルオロメチル安息香酸亜鉛)の堆積とCSAの間でのカルボキシラート交換が赤外反射吸収分光法で具体的に示された。結晶の成長,元素分布,多孔性,および薄膜の形態のようなMOF堆積の種々な様相は,粉末X線回折(PXRD),エネルギー分散X線分光法(EDX),窒素低温吸着測定,および走査電子顕微鏡(SEM)によって番地付けされた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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薄膜成長技術・装置  ,  物理化学一般その他 
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