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J-GLOBAL ID：201202245129444770   整理番号：12A0105357

3C-SiC(100)/Si(100)上の表面グラファイト化度の制御

Control of the degree of surface graphitization on 3C-SiC(100)/Si(100)

著者 (5件)： GOGNEAU N. ,  BALAN A. ,  RIDENE M. ,  SHUKLA A. ,  OUERGHI A.
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 606  号： 3-4  ページ： 217-220  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン基板上の3C-SiC(100)の熱分解によってグラフェンを成長させる現行法は技術的に魅力的である。本論文においては表面グラファイト化の進行を合成温度の関数として検討した。表面の炭素豊富化は表面ポテンシャルおよび構造組織の明確な変調を特徴とすることを明らかにした。低速電子回折および顕微Raman分光法によるグラフェン層の構造特性分析によって表面のグラファイト化を実証した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  ケイ素 ,  *黒鉛化 ,  炭素材 ,  温度依存性 ,  グラフェン
準シソーラス用語： *3C-SiC ,  *グラファイト化

分類 (2件)： 固-気界面一般  (CB12041H) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (3件)： 3C-SiC ,  Si ,  グラファイト化