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J-GLOBAL ID：201202245144522230   整理番号：12A0562405

ビス(トリフルオロメチル)-およびビチオフェニル-トリフェニルアミン単位を有する芳香族ポリイミドのディジタル記憶挙動

Digital memory behaviors of aromatic polyimides bearing bis(trifluoromethyl)- and bithiophenyl-triphenylamine units

著者 (8件)： KIM Dong Min (Dep. of Chemistry, Div. of Advanced Materials Sci., Pohang Accelerator Lab., Center for Electro-Photo Behaviors in ...) ,  KO Yong-gi (Dep. of Chemistry, Div. of Advanced Materials Sci., Pohang Accelerator Lab., Center for Electro-Photo Behaviors in ...) ,  CHOI Jun Keol (Dep. of Materials Sci. & Engineering, Gwangju Inst. of Sci. and Technol. (GIST), Gwangju 500-712, KOR) ,  KIM Kyungtae (Dep. of Chemistry, Div. of Advanced Materials Sci., Pohang Accelerator Lab., Center for Electro-Photo Behaviors in ...) ,  KWON Wonsang (Dep. of Chemistry, Div. of Advanced Materials Sci., Pohang Accelerator Lab., Center for Electro-Photo Behaviors in ...) ,  JUNG Jungwoon (Dep. of Chemistry, Div. of Advanced Materials Sci., Pohang Accelerator Lab., Center for Electro-Photo Behaviors in ...) ,  YOON Tae-ho (Dep. of Materials Sci. & Engineering, Gwangju Inst. of Sci. and Technol. (GIST), Gwangju 500-712, KOR) ,  REE Moonhor (Dep. of Chemistry, Div. of Advanced Materials Sci., Pohang Accelerator Lab., Center for Electro-Photo Behaviors in ...)
資料名： Polymer  (Polymer)
巻： 53  号： 8  ページ： 1703-1710  発行年： 2012年04月03日 
JST資料番号： D0472B  ISSN： 0032-3861  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子吸引性ビス(トリフルオロメチル)フェニル基および電子供与性ビチオフェン基をもつトリフェニルアミン(TPA)誘導体の2つの熱,寸法安定性芳香族ポリイミド(PI)合理的な分子量で合成した。これらPIのナノスケール薄膜を,基板と金属電極間接触の形態学的構造とインタフェイスのみならず光学的および電気化学的特性の側面から検討した。記憶素子のPIは,最初に高抵抗(OFF状態)を示した。正と負の電圧を印加したとき,TPA単位の電子吸引性および電子供与性置換基に応じて,最大10⁸の高いオン/オフ電流比をもつユニポーラ記憶挙動(揮発性静的ダイナミックランダムアクセスメモリと不揮発性の書き込み一回,読み取り多回メモリ)の2つの異なるタイプを実証した。記憶挙動のすべてが,トラップされた電荷とフィラメント形成の分野で強化された熱放射を含む機構によって支配されることが分かった。全体として,本研究で,熱,寸法安定性PIが高性能,超低消費電力で動作可能で,極性フリープログラム可能記憶素子の低コスト大量生産に非常に適して活物質であることが実証された。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *記憶媒体 ,  *6FDAポリイミド ,  *第三アミン ,  *芳香族アミン ,  *硫黄複素環化合物 ,  DRAM ,  記憶素子 ,  記憶装置 ,  不揮発性メモリ ,  消費電力 ,  電気化学的挙動 ,  インタフェイス ,  ナノ構造 ,  高分子薄膜 ,  電流電圧特性 ,  パターン形成 ,  サイクリックボルタンメトリー
準シソーラス用語： ダイナミックランダムアクセスメモリ ,  *チオフェン誘導体 ,  *ディジタル記憶媒体 ,  *トリフェニルアミン誘導体 ,  揮発性メモリ ,  低消費電力化

分類 (2件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

物質索引 (3件)： 6FDA ,  4,4′-[[3′,5′-ビス(トリフルオロメチル)ビフェニル-4-イル]イミノ]ビスアニリン ,  4,4′-[[4-(2,2′-ビチオフェン-5-イル)フェニル]イミノ]ビスアニリン

タイトルに関連する用語 (5件)： ビス ,  トリフェニルアミン ,  芳香族ポリイミド ,  ディジタル ,  挙動