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J-GLOBAL ID：201202245167820948   整理番号：12A1327996

SiC/SiO_xヘテロ超格子におけるシリコン量子ドットに対する水素再とりこみによる欠陥パシベーション

Defect passivation by hydrogen reincorporation for silicon quantum dots in SiC/SiO_x hetero-superlattice

著者 (11件)： DING Kaining (IEK-5 Photovoltaik, Forschungszentrum Juelich, Leo-Brandt-Strasse, D-52425 Juelich, DEU) ,  AEBERHARD Urs (IEK-5 Photovoltaik, Forschungszentrum Juelich, Leo-Brandt-Strasse, D-52425 Juelich, DEU) ,  ASTAKHOV Oleksandr (IEK-5 Photovoltaik, Forschungszentrum Juelich, Leo-Brandt-Strasse, D-52425 Juelich, DEU) ,  BREUER Uwe (Central Div. of Analytical Chemistry (ZCH), Forschungszentrum Juelich, Leo-Brandt-Strasse, D-52425 Juelich, DEU) ,  BEIGMOHAMADI Maryam (Ernst-Ruska Center for Microscopy and Spectroscopy with Electrons, Forschungszentrum Juelich, Leo-Brandt-Strasse ...) ,  SUCKOW Stephan (Inst. of Semiconductor Electronics, RWTH Aachen Univ., Sommerfeldstrasse 24, D-52074 Aachen, DEU) ,  BERGHOFF Birger (Inst. of Semiconductor Electronics, RWTH Aachen Univ., Sommerfeldstrasse 24, D-52074 Aachen, DEU) ,  BEYER Wolfhard (IEK-5 Photovoltaik, Forschungszentrum Juelich, Leo-Brandt-Strasse, D-52425 Juelich, DEU) ,  FINGER Friedhelm (IEK-5 Photovoltaik, Forschungszentrum Juelich, Leo-Brandt-Strasse, D-52425 Juelich, DEU) ,  CARIUS Reinhard (IEK-5 Photovoltaik, Forschungszentrum Juelich, Leo-Brandt-Strasse, D-52425 Juelich, DEU) ,  RAU Uwe (IEK-5 Photovoltaik, Forschungszentrum Juelich, Leo-Brandt-Strasse, D-52425 Juelich, DEU)
資料名： Journal of Non-Crystalline Solids  (Journal of Non-Crystalline Solids)
巻： 358  号： 17  ページ： 2145-2149  発行年： 2012年09月01日 
JST資料番号： D0642A  ISSN： 0022-3093  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子ドット生成についての,電子輸送およびシリコンの豊富なSiO_xマトリックス層に対する,交互のほぼ化学量論量のSiCバリア層から成るSiC/SiO_xヘテロ超格子(HSL)は第三世代太陽電池に対するシリコン量子ドット(Si-QD)吸収体を実現することに期待がもてる。しかし,付加的欠陥状態が,Si-QD生成に必要な後期析出アニール処理の際に発生する。これによってサブバンドギャップ吸収の増加およびPL強度の減少が引き起こされる。過剰の欠陥の適当なパシベーションがSiC/SiO_x HSL Si-QD吸収体の光学的および電気的特性の両面に主として重要である。本報では,プラズマ増強化学蒸着(PECVD)反応器における水素プラズマで達成された水素再とりこみ,ホットワイヤCVD(HWCVD)反応器における水素解離触媒作用および生成ガス雰囲気(FGA)でのアニール化の有効性を調べた。HSL試料および単一層参照試料の両者をテストした。水素再とりこみのパシベーション特質を,析出後,アニール化後,およびパシベーション後に測定した電気的および光学的性質を比較して検討した。さらに,SiC/SiO_x HSLにおけるSi-QDの生成を,高分解透過型電子顕微鏡を用いて評価した。アニール化したHSL試料中およびその単一層参照試料中に水素がうまく再とりこみされることを確認した。FGAパシベーションはSiO_1.2単一層およびHSL試料に対して最も有効である。PECVDによるパシベーションはSiC単一層に対してのみ有効である。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *超格子 ,  ケイ素 ,  *量子ドット ,  不動態化 ,  エレクトロトランスポート ,  マトリックス【母体】 ,  化学量論 ,  被覆層 ,  太陽電池 ,  吸収体 ,  焼なまし ,  バンドギャップ ,  光ルミネセンス ,  光学的性質 ,  電気的性質 ,  プラズマCVD ,  反応器 ,  プラズマ ,  化学蒸着 ,  水素 ,  解離 ,  単一層 ,  高分解能 ,  透過型電子顕微鏡 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  二次イオン質量分析 ,  ESR【磁気共鳴】 ,  X線回折 ,  電気伝導率 ,  スピン密度 ,  ナノ粒子 ,  *格子欠陥 ,  *二酸化ケイ素
準シソーラス用語： *シリカ ,  HRTEM ,  SIMS分析 ,  XRD ,  アニール処理 ,  シリコン ,  シリコンナノ粒子 ,  パッシベーション ,  バリア層 ,  プラズマ増強化学蒸着 ,  ホットワイヤCVD ,  欠陥状態【格子】 ,  高分解 ,  触媒作用 ,  水素プラズマ ,  電子輸送 ,  導電度

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (9件)： SiC ,  テロ ,  超格子 ,  シリコン ,  量子ドット ,  水素 ,  とりこみ ,  欠陥 ,  パシベーション