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J-GLOBAL ID：201202245339017360   整理番号：12A1143406

エネルギー等分割結合伝送線路を利用したマルチドロップバスシステム用の7Gb/s/リンク非接触メモリモジュール

A 7Gb/s/Link Non-Contact Memory Module for Multi-Drop Bus System Using Energy-Equipartitioned Coupled Transmission Line

著者 (7件)： YUN Won-Joo (Keio Univ., Yokohama, JPN) ,  NAKANO Shinya (Keio Univ., Yokohama, JPN) ,  MIZUHARA Wataru (Keio Univ., Yokohama, JPN) ,  KOSUGE Atsutake (Keio Univ., Yokohama, JPN) ,  MIURA Noriyuki (Keio Univ., Yokohama, JPN) ,  ISHIKURO Hiroki (Keio Univ., Yokohama, JPN) ,  KURODA Tadahiro (Keio Univ., Yokohama, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference  (Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻： 2012  ページ： 52-53,53A  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0753A  ISSN： 0193-6530  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大容量メモリにはマルチドロップバス方式が好ましいが,各スタブの反射により性能劣化する問題がある。スタブの反射を回避するため,結合伝送線路(CTL)の利用が提案されている。本稿では,複数の方向性結合器をCTLの間の通常の伝送線路に接続することにより,CTL利用マルチドロップバストポロジーを得た。この場合の課題として各モジュールへ等しい信号電力を配信し,各CTLチャネルでの信号反射を抑圧する方法を考察し,その実現方法を示した。90nm CMOSプロセスで試作したチップの測定例を示した。CTLチャネルの最大データ速度は7Gb/s/リンクであり,結果として集約帯域幅56Gb/s/モジュールが得られる。

シソーラス用語： *DRAM ,  *データバス ,  反射 ,  *方向性結合器 ,  位相幾何学 ,  モジュール ,  伝送線路 ,  通信チャネル ,  伝送速度 ,  帯域幅 ,  半導体プロセス ,  プロトタイプ ,  劣化
準シソーラス用語： CMOSプロセス ,  データ速度 ,  *メモリモジュール ,  回路トポロジー ,  *結合伝送線路 ,  性能劣化

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (5件)： エネルギー ,  結合伝送線路 ,  リンク ,  非接触 ,  メモリモジュール