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J-GLOBAL ID：201202245442728321   整理番号：12A0555264

同位体を利用して設計したダイヤモンド接合における励起子の拡散長の決定

Determination of exciton diffusion lengths in isotopically engineered diamond junctions

著者 (5件)： BARJON J. (GEMaC, CNRS-Universite Versailles St Quentin, 45 av. Etats-Unis, 78000 Versailles, FRA) ,  JOMARD F. (GEMaC, CNRS-Universite Versailles St Quentin, 45 av. Etats-Unis, 78000 Versailles, FRA) ,  TALLAIRE A. (LSPM-CNRS Univ. Paris 13, 99 av. J.B. Clement, 93430 Villetaneuse, FRA) ,  ACHARD J. (LSPM-CNRS Univ. Paris 13, 99 av. J.B. Clement, 93430 Villetaneuse, FRA) ,  SILVA F. (LSPM-CNRS Univ. Paris 13, 99 av. J.B. Clement, 93430 Villetaneuse, FRA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 12  ページ： 122107-122107-4  発行年： 2012年03月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 同位体を利用して設計した¹²C/¹³Cから成るダイヤモンド接合における励起子の拡散を直接観測した結果を報告する。バンドギャップの大きい¹³Cのダイヤモンド中に集束電子ビームによって生成された励起子は拡散し,それらの一部はバンドギャップの小さな¹²Cのダイヤモンドに移動し,そこで再結合する。試料の断面に関する陰極線ルミネセンスを用いて,¹²C/¹³Cの界面と電子ビームとの距離の関数として再結合強度を追跡した。¹³Cのダイヤモンド中の10Kにおける励起子の拡散長は,7.9μmにも達することが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 炭素12 ,  炭素13 ,  *ダイヤモンド ,  *半導体接合 ,  *励起子 ,  拡散距離 ,  電子照射 ,  バンドギャップ ,  陰極線ルミネセンス ,  キャリア再結合 ,  二次イオン質量分析 ,  紫外発光スペクトル

分類 (2件)： 励起子  (BM02120E) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 同位体 ,  設計 ,  ダイヤモンド ,  励起子 ,  拡散長