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J-GLOBAL ID：201202245443580760   整理番号：12A0569470

CaCu₃Ti₄O₁₂セラミックの誘電特性に及ぼすZrドーピングの効果

Influence of Zr doping on the dielectric properties of CaCu₃Ti₄O₁₂ ceramics

著者 (10件)： ZHANG Lu (Tianjin Univ., School of Electronic and Information Engineering, 300072, Tianjin, People’s Republic of China) ,  ZHANG Lu (Ministry of Education Tianjin Univ., Key Lab. of Advanced Ceramics and Machining Technol., 300072, Tianjin ...) ,  WU Yugong (Tianjin Univ., School of Electronic and Information Engineering, 300072, Tianjin, People’s Republic of China) ,  WU Yugong (Ministry of Education Tianjin Univ., Key Lab. of Advanced Ceramics and Machining Technol., 300072, Tianjin ...) ,  GUO Xiaozan (Tianjin Univ., School of Electronic and Information Engineering, 300072, Tianjin, People’s Republic of China) ,  GUO Xiaozan (Ministry of Education Tianjin Univ., Key Lab. of Advanced Ceramics and Machining Technol., 300072, Tianjin ...) ,  WANG Zhiyuan (Tianjin Univ., School of Electronic and Information Engineering, 300072, Tianjin, People’s Republic of China) ,  WANG Zhiyuan (Ministry of Education Tianjin Univ., Key Lab. of Advanced Ceramics and Machining Technol., 300072, Tianjin ...) ,  ZOU Yanan (Tianjin Univ., School of Electronic and Information Engineering, 300072, Tianjin, People’s Republic of China) ,  ZOU Yanan (Ministry of Education Tianjin Univ., Key Lab. of Advanced Ceramics and Machining Technol., 300072, Tianjin ...)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 23  号： 4  ページ： 865-869  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 純粋な及びZr置換CaCu₃(Ti_1-xZr_x)₄O₁₂(x=0,0.01,002,0.03)セラミックをPechini法により作成した。X線粉末回折解析は,単相化合物の形成を示し,全ての回折ピークは,体心立方晶系のペロブスカイト関連構造により,完全に指し示された。誘電特性に及ぼす部分的にTi⁴⁺イオンを置換するZr⁴⁺イオンの影響を,100Hzと1GHzの間の周波数範囲で調べた。Zr置換により,低い周波数(f≦10⁵Hz)の誘電率は減少し,高い周波数(f≧10⁷Hz)の誘電率は変化しなかった。興味深いことには,低い周波数の緩和がZrの置換により室温で観察された。Zr置換試料の観察された特性を,内部障壁層容量モデルを用いて論じた。誘電分散を説明するために,相当する等価回路を採用した。Zr置換による粒界の抵抗率の減少により,低周波緩和の特性周波数が生じたが,それは室温での大きな低周波応答が原因のようである。Copyright 2011 Springer Science+Business Media, LLC Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： カルシウム化合物 ,  銅化合物 ,  チタン酸塩 ,  *セラミック ,  *誘電性 ,  *ジルコニウム ,  *ドーピング ,  X線回折 ,  立方晶系 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  *置換 ,  誘電率 ,  結晶粒界 ,  室温 ,  周波数応答 ,  格子定数 ,  相対密度 ,  焼結 ,  走査電子顕微鏡 ,  周波数依存性
準シソーラス用語： Pechini法 ,  X線粉末回折 ,  誘電分散

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (4件)： セラミック ,  誘電特性 ,  Zr ,  ドーピング