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J-GLOBAL ID:201202245572265790   整理番号:12A1174520

AM-PM歪みを補償するための埋め込みリニアライザを有する1.9GHz CMOS電力増幅器

A 1.9GHz CMOS Power Amplifier With Embedded Linearizer to Compensate AM-PM Distortion
著者 (6件):
資料名:
巻: 47  号:ページ: 1820-1827  発行年: 2012年08月 
JST資料番号: B0761A  ISSN: 0018-9200  CODEN: IJSCBC  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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効率,線形性,および信頼性の観点における増幅デバイスに対する要求により,RF電力増幅器(PA)は,携帯送受信機において,高価な化合物半導体にとどまっている数少ない部品の1つである。近年,価格の障壁を克服するために,ワットレベルの線形CMOS PAが,セルラ,WiMAX,およびWLAN携帯用途に対して研究されてきた。本論文では,オンチップリニアライザを有する,直列結合トランスベース,ワットレベルの1.9GHz線形CMOS PAを実証した。カスコード電力段のAM-PM歪みを補償し,28.0dBmの出力電力において,2.6dBだけ3GPP WCDMAアップリンク信号のACLRを改善するために,提案した小型の,プレディストーションベースリニアライザは2段PAに埋め込まれている。この同調インダクタを有する設計した中間電力分配器は,ドライバ段の低損失電源と全PAの高いコモンモード安定性に寄与する。さらに新しく開発したPVT変化に耐えるカスコードバイアス回路は,2.5Vから3.6Vまでの広い電源電圧における非常に正確なバイアス電圧を保証する。試験チップは1.95GHzにおいて28.3dBmの最大出力電力を実証し,5.4mm2のダイ面積で3GPP WCDMAスペクトルマスクを満足した。
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
増幅回路  ,  半導体集積回路  ,  無線通信一般 

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