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J-GLOBAL ID：201202245607602689   整理番号：12A0139833

金属ガラス薄膜で被覆した水平配列カーボンナノチューブ電界放出カソードの長期の安定性

Long-term stability of a horizontally-aligned carbon nanotube field emission cathode coated with a metallic glass thin film

著者 (4件)： HUANG Bohr-ran (Graduate Inst. of Electro-Optical Engineering and Dep. of Electronic Engineering, National Taiwan Univ. of Sci. and ...) ,  LIN Tzu-ching (Graduate Inst. of Electro-Optical Engineering and Dep. of Electronic Engineering, National Taiwan Univ. of Sci. and ...) ,  CHU Jinn P. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Taiwan Univ. of Sci. and Technol., Taipei 106, Taiwan, TWN) ,  CHEN Yen-chen (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Taiwan Univ. of Sci. and Technol., Taipei 106, Taiwan, TWN)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 50  号： 4  ページ： 1619-1624  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水平配列カーボンナノチューブ(HACNT)電界放出カソードを金属ガラス薄膜(MGTF)で被覆して,電界放出特性の安定性を改良した。複合材メッキ技法単独で80°Cでガラス基板にカーボンナノチューブ/ニッケル(CNTs/Ni)複合膜を沈着する。次に,300°Cで30minの加熱でCNT/Ni複合膜に亀裂を形成して,HACNTsは亀裂で露出される。HACNT電界放出カソードの電界放出特性は,1mA/cm²の放出電流密度で2.3V/μmの低い作動電場E_onと4.7V/μmの低いしきい値電場および78hの安定時間を示す。MGTF被覆技術を使用して,優れた長期の安定性(5nmのMGTFで,125h以上,10nmのMGTFで270h以上)が達成される。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *電界放出アレイ ,  *カーボンナノチューブ ,  配列 ,  ニッケルめっき ,  複合膜 ,  微小亀裂 ,  亀裂発生 ,  カソード ,  電流電圧特性 ,  耐久性 ,  ナノ複合材料

分類 (3件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 金属ガラス ,  薄膜 ,  カーボンナノチューブ ,  電界放出 ,  カソード ,  長期 ,  安定性