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J-GLOBAL ID：201202245697563741   整理番号：12A1515926

GaN上のヘテロエピタキシャルVO₂薄膜:構造と金属-絶縁体転移特性

Heteroepitaxial VO₂ thin films on GaN: Structure and metal-insulator transition characteristics

著者 (2件)： ZHOU You (Harvard School of Engineering and Applied Sciences, Harvard Univ., Cambridge, Massachusetts 02138, USA) ,  RAMANATHAN Shriram (Harvard School of Engineering and Applied Sciences, Harvard Univ., Cambridge, Massachusetts 02138, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 7  ページ： 074114-074114-8  発行年： 2012年10月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 相互に関係した酸化物と窒化物半導体のモノリシック集積は両クラスの材料の望ましい機能特性を結合する固体エレクトロニクスとオプとエレクトロニクスに新たな機会を開くと考えられる。ここで,c-サファイア上のGaNエピタキシャル層への酸化バナジウム(VO₂)薄膜のエピタキシャル成長と相転移に関係した電気特性について報告する。X線回折の結果から決定したエピタキシャル関係は(010)_VO2∥(0001)_GaN∥(0001)Al2O3及び[100]_VO2∥[1210]_GaN∥[01-10]_Al2O3であった。VO₂へテロエピタキシャル成長と格子不整合をGaN基底面(0001)と二酸化バナジウムのほぼ最密充填コルゲート酸素面と比較して解析し,方位関係を記述する実験による立体投影を確立した。X線光電子分光で表面にわずかな酸素リッチ組成が示されたが,Raman散乱測定でGaN層の品位はVO₂の高温堆積では殆ど劣化しないことが分かった。GaN上のVO₂膜の電気評価からc-サファイア上に直接成長させたエピタキシャルVO₂膜と同様に,加熱により抵抗が約四桁変化することが示された。室温で金属-絶縁体転移が生じて温度に従う転移しきい電圧スケーリングの変化を電流駆動のJoule発熱モデルにより解析した。シャープな相転移をするGaN上に高品位の相互に関係する酸化物を合成できることは半導体-フォトにクス集積デバイスに新たな方向を可能にする。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化バナジウム ,  窒化ガリウム ,  ヘテロエピタクシー ,  *薄膜成長 ,  格子不整合 ,  基板 ,  酸化アルミニウム ,  電気抵抗 ,  *金属-絶縁体転移 ,  電圧 ,  スケーリング【計数】 ,  空間群 ,  結晶構造 ,  格子定数 ,  容量電圧特性
準シソーラス用語： 閾電圧

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固相転移  (BL04020G)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  VO2 ,  薄膜 ,  金属-絶縁体転移