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J-GLOBAL ID：201202245740820001   整理番号：12A1226435

イオンゲル誘電体による非常に柔軟なMoS₂薄膜トランジスタ

Highly Flexible MoS₂ Thin-Film Transistors with Ion Gel Dielectrics

著者 (8件)： PU Jiang (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  YOMOGIDA Yohei (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  YOMOGIDA Yohei (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  LIU Keng-Ku (Academia Sinica, Taipei, TWN) ,  LI Lain-Jong (Academia Sinica, Taipei, TWN) ,  IWASA Yoshihiro (RIKEN, Wako, JPN) ,  IWASA Yoshihiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKENOBU Taishi (Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 12  号： 8  ページ： 4013-4017  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二硫化モリブデン(MoS₂)薄膜トランジスタをイオンゲルゲート誘電体を用いて作成した。これらの薄膜トランジスタは,低閾値電圧(<1V),高移動度(12.5cm²/(V・s)),そして高いon/off電流比(10⁵)を持つ卓越したバンド輸送を示した。さらに,MoS₂トランジスタは顕著な機械的柔軟性を示し,それらは曲率半径0.75mmの著しい曲げにたいしても電気特性の劣化を示さなかった。卓越した電気特性とMoS₂膜の優れた曲げ易さは大面積のフレキシブルエレクトロニクスへの使用に適している。

シソーラス用語： *イオン液体 ,  *ゲル化 ,  *トランジスタ ,  *硫化モリブデン ,  薄膜トランジスタ ,  柔軟性 ,  電子技術 ,  移動度 ,  電圧 ,  比率 ,  ポリスチレン ,  ポリメタクリル酸メチル ,  トリブロック共重合体
準シソーラス用語： フレキシブルエレクトロニクス ,  高移動度 ,  低閾値電圧 ,  *電気二重層トランジスタ ,  *二硫化モリブデン ,  on/off電流比

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  融解塩  (CB05050R)

物質索引 (2件)： EMIM ,  ビス(トリフルオロメタンスルホン)イミド

タイトルに関連する用語 (4件)： イオンゲル ,  誘電体 ,  MoS2 ,  薄膜トランジスタ