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J-GLOBAL ID：201202245798492152   整理番号：12A0996654

イオン性半導体ナノ構造の電子構造に及ぼす水素不動態化の効果

Effect of hydrogen passivation on the electronic structure of ionic semiconductor nanostructures

著者 (5件)： DENG Hui-Xiong (Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  DENG Hui-Xiong (National Renewable Energy Lab., Colorado, USA) ,  LI Shu-Shen (Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  LI Jingbo (Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  WEI Su-Huai (National Renewable Energy Lab., Colorado, USA)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 85  号： 19  ページ： 195328.1-195328.5  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *半導体 ,  *ナノ構造 ,  電子構造 ,  *不動態化 ,  化学的性質 ,  水素 ,  ダングリングボンド ,  量子閉込め ,  *バンドギャップ
準シソーラス用語： イオン性 ,  イオン性半導体 ,  擬水素 ,  *水素不動態化

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオン性 ,  半導体ナノ構造 ,  電子構造 ,  水素 ,  不動態化