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J-GLOBAL ID：201202245802430205   整理番号：12A1005969

SiC単結晶のPVT成長における昇華-再結晶化現象の基礎研究

Fundamental Study of Sublimation-Recrystallization Phenomena in PVT-growth of SiC Single Crystals

著者 (6件)： FUJIMOTO T. (Nippon Steel Corp., Chiba, JPN) ,  OHTANI N. (Kwansei Gakuin Univ., Hyogo, JPN) ,  SATO S. (Nippon Steel Corp., Chiba, JPN) ,  KATSUNO M. (Nippon Steel Corp., Chiba, JPN) ,  TSUGE H. (Nippon Steel Corp., Chiba, JPN) ,  OHASHI W. (Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 717/720  号： Pt.1  ページ： 21-24  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (9件)： SiC ,  単結晶 ,  PVT ,  成長 ,  昇華 ,  再結晶化 ,  現象 ,  基礎 ,  研究