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J-GLOBAL ID：201202245874909637   整理番号：12A0858257

ナノ結晶性,単斜晶系HfO₂薄膜の成長挙動,格子の拡張,歪みと表面形態

Growth Behavior, Lattice Expansion, Strain, and Surface Morphology of Nanocrystalline, Monoclinic HfO₂ Thin Films

著者 (4件)： RAMANA C. V. (Univ. Texas at El Paso, Texas, USA) ,  BHARATHI K. Kamala (Univ. Texas at El Paso, Texas, USA) ,  GARCIA A. (Univ. Texas at El Paso, Texas, USA) ,  CAMPBELL A. L. (Wright-Patterson Air Force Base (WPAFB), Ohio, USA)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 116  号： 18  ページ： 9955-9960  発行年： 2012年05月10日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 反応性スパッタリング法によってナノ結晶性のHfO₂薄膜を成長させ,それらの構造的特質に対する成膜温度(Ts)の影響についてX線回折(XRD),走査型電子顕微鏡(SEM)と原子間力顕微鏡によって評価した。ナノ結晶性単斜晶系HfO₂薄膜はTsの上昇と共に高度に配向した(111)方向の成長を示す。粒子サイズ(L),格子の膨張(d(111))と歪み(Γ)の間の相関関係を確認した。d(111)はLの増加と共に減少し,一方対応する歪み(Γ)はLの増加と共に増加し,歪みエネルギーはL値が最大の時に最小となる。ナノ結晶性HfO₂薄膜での格子の膨張はサイズの減少による。XRDとSEMから誘導したL-Tsデータは良く一致し,Arrhenius式に従う関係を示す。得られた結果から,ナノ結晶性単斜晶系HfO₂薄膜の成長は熱的に活性化された成長プロセスによって進行し,その活性化エネルギーは0.12eVであった。これらの知見は各種応用のためのHfO₂薄膜の成膜条件の最適化に有用と期待される。

シソーラス用語： 単斜晶系 ,  *形態 ,  *表面構造 ,  *薄膜成長 ,  反応性スパッタリング ,  *ナノ結晶 ,  原子間力顕微鏡 ,  歪エネルギー ,  *酸化ハフニウム
準シソーラス用語： *表面形態

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (10件)： ナノ結晶 ,  単斜晶系 ,  HfO2 ,  薄膜 ,  成長 ,  挙動 ,  格子 ,  拡張 ,  歪み ,  表面形態