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J-GLOBAL ID：201202245885090761   整理番号：12A0539434

プレーナSiGeバンドツーバンドトンネルトランジスタの性能に及ぼす歪とGe濃度の影響

Impact of strain and Ge concentration on the performance of planar SiGe band-to-band-tunneling transistors

著者 (8件)： SCHMIDT M. (Peter Gruenberg Inst. 9 (PGI 9) and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, DEU) ,  MINAMISAWA R.a. (Peter Gruenberg Inst. 9 (PGI 9) and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, DEU) ,  RICHTER S. (Peter Gruenberg Inst. 9 (PGI 9) and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, DEU) ,  LUPTAK R. (Peter Gruenberg Inst. 9 (PGI 9) and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, DEU) ,  HARTMANN J.-m. (CEA-LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble, FRA) ,  BUCA D. (Peter Gruenberg Inst. 9 (PGI 9) and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, DEU) ,  ZHAO Q.t. (Peter Gruenberg Inst. 9 (PGI 9) and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, DEU) ,  MANTL S. (Peter Gruenberg Inst. 9 (PGI 9) and JARA-FIT, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, DEU)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 71  ページ： 42-47  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プレーナ構造を持つ圧縮歪Si_1-xGe_xバンドツーバンドトンネル電界効果トランジスタ(TFET)の作製と解析を行った。x=0.35,0.50,および0.65の異なるゲルマニウム濃度を検討した。より良い静電制御のために,HfO₂/TiN高κ/金属ゲートスタックを使用した。作製したSi_0.5Ge_0.5デバイスは最高のオン状態電流I_onと最小のサブ閾値傾斜(それぞれ4μA/μmと162mV/dec.)を示した一方,Si_0.35Ge_0.65 TFETの性能は部分歪緩和により劣化した。バンドギャップ狭小化と有効質量変化による,Ge濃度と弾性歪のバンドツーバンドトンネル効果に及ぼす影響を議論した。非局所バンドツーバンドトンネルモデルを使用したシミュレーションによって,トランジスタ性能はGe量と歪の増加に連れて増大することを示した。これは実験結果に一致している。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： プレーナ構造 ,  *半導体材料 ,  トランジスタ ,  トンネル効果 ,  電子遷移 ,  *格子歪 ,  *濃度 ,  濃度依存性 ,  歪 ,  *FET【トランジスタ】 ,  制御 ,  オン抵抗 ,  閾値
準シソーラス用語： *SiGe ,  *TFET ,  ゲート制御 ,  *ゲルマニウム濃度 ,  サブ閾値 ,  トンネルトランジスタ ,  バンド間遷移 ,  圧縮歪

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： プレーナ ,  SiGe ,  歪 ,  Ge