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J-GLOBAL ID：201202246059946257   整理番号：12A0723190

MgO(001)上のEuOの反応性分子ビームエピタクシーによるエピタキシャル成長のための静電テンプレートとしてのTiO₂

TiO₂ as an electrostatic template for epitaxial growth of EuO on MgO(001) by reactive molecular beam epitaxy

著者 (4件)： SWARTZ Adrian G. (Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of California, Riverside, California 92521, USA) ,  WONG Jared J. I. (Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of California, Riverside, California 92521, USA) ,  PINCHUK Igor V. (Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of California, Riverside, California 92521, USA) ,  KAWAKAMI Roland K. (Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of California, Riverside, California 92521, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 8  ページ： 083912-083912-6  発行年： 2012年04月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 反応性分子ビームエピタクシーによるMgO(001)上のEuOのエピタキシャル成長の初期成長モードと界面静電相互作用の役割を調べた。TiO₂界面層を用いて面内で45°回転させた高品質MgO(001)上のEuOのエピタキシャル成長を実現した。比較のために,TiO₂層無しでのMgO上のEuO直接堆積では単結晶膜の生成のための時間展開は遥かに遅かった。類似イオンの静電斥力を論拠としてTiO₂層を伴う界面でのEuOの品質向上を説明した。単一層領域の超薄EuO膜が基板供給酸化によりTiO₂表面上で作られること,およびその種の膜がバルクCurie温度を持つことを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MBE成長 ,  型枠 ,  板 ,  *酸化マグネシウム ,  *酸化ユウロピウム ,  *酸化チタン ,  境界層 ,  斥力 ,  超薄膜 ,  Curie温度 ,  単一層 ,  静電相互作用 ,  界面
準シソーラス用語： *テンプレート【型板】 ,  界面層 ,  *分子ビームエピタクシー成長

分類 (2件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： MgO ,  反応性 ,  分子ビームエピタクシー ,  エピタキシャル成長 ,  テンプレート ,  TiO2