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J-GLOBAL ID：201202246313780089   整理番号：12A0832737

ナノメーター長電界効果トランジスタにおける光ビーティングによって誘起されたテラヘルツ放射

Terahertz emission induced by optical beating in nanometer-length field-effect transistors

著者 (14件)： NOUVEL P. (Inst. d’Electronique du Sud-CNRS UMR 5214, TERALAB, Montpellier, FRA) ,  TORRES J. (Inst. d’Electronique du Sud-CNRS UMR 5214, TERALAB, Montpellier, FRA) ,  BLIN S. (Inst. d’Electronique du Sud-CNRS UMR 5214, TERALAB, Montpellier, FRA) ,  MARINCHIO H. (Inst. d’Electronique du Sud-CNRS UMR 5214, TERALAB, Montpellier, FRA) ,  LAURENT T. (Inst. d’Electronique du Sud-CNRS UMR 5214, TERALAB, Montpellier, FRA) ,  PALERMO C. (Inst. d’Electronique du Sud-CNRS UMR 5214, TERALAB, Montpellier, FRA) ,  VARANI L. (Inst. d’Electronique du Sud-CNRS UMR 5214, TERALAB, Montpellier, FRA) ,  SHIKTOROV P. (Semiconductor Physics Inst., A. Gostauto 11, Vilnius, LTU) ,  STARIKOV E. (Semiconductor Physics Inst., A. Gostauto 11, Vilnius, LTU) ,  GRUZINSKIS V. (Semiconductor Physics Inst., A. Gostauto 11, Vilnius, LTU) ,  TEPPE F. (Lab. Charles Coulomb-CNRS UMR 5221, TERALAB, Montpellier, FRA) ,  ROELENS Y. (Inst. d’Electronique de Microelectronique et de Nanotechnologie, UMR 8520, Villeneuve d’Ascq cedex, FRA) ,  SHCHEPETOV A. (Inst. d’Electronique de Microelectronique et de Nanotechnologie, UMR 8520, Villeneuve d’Ascq cedex, FRA) ,  BOLLAERT S. (Inst. d’Electronique de Microelectronique et de Nanotechnologie, UMR 8520, Villeneuve d’Ascq cedex, FRA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 10  ページ： 103707-103707-9  発行年： 2012年05月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サブミクロンサイズInGaAs系高電子移動度トランジスタで生成された高いスペクトル純度を持つ光誘起テラヘルツ放射を報告した。放射ピークは二つの連続レーザ源のビーティング周波数でトランジスタチャンネルに光生成された電子-正孔対による。放射周波数はトランジスタチャンネルゲート領域の最低位基本プラズマモードに対応する。200Kで観測された高放射品質因子は,温度による速度緩和比の削減でこの現象が強調される二次元電子ガスのプラズマ流不安定性の結果として説明できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電磁波放射 ,  連続レーザ ,  レーザビーム ,  *量子ビート ,  *FET【トランジスタ】 ,  単位 ,  HEMT ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  化合物半導体 ,  電子正孔対 ,  光生成 ,  プラズマ流 ,  *プラズマ不安定性 ,  二次元電子ガス ,  因子
準シソーラス用語： *テラヘルツ波放射 ,  ナノメータ ,  高電子移動度トランジスタ ,  *電界効果トランジスタ ,  品質因子

分類 (2件)： プラズマ中の電磁波  (BJ02032F) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノメーター ,  電界効果トランジスタ ,  ビーティング ,  誘起 ,  テラヘルツ放射