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J-GLOBAL ID：201202246338750656   整理番号：12A1070169

サファイア上のエピタキシャルSrTiO₃膜の構造とモホロジー特性の応力で発生した改変

Stress Generated Modifications of Structural and Morphologic Properties of Epitaxial SrTiO₃ Films on Sapphire

著者 (6件)： WOERDENWEBER R. (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU) ,  GRELLMANN T. (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU) ,  GREBEN K. (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU) ,  SCHUBERT J. (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU) ,  KUTZNER R. (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU) ,  HOLLMANN E. (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU)
資料名： Ferroelectrics  (Ferroelectrics)
巻： 430  ページ： 475-482  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： D0777A  ISSN： 0015-0193  CODEN： FEROA8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CeO₂でバッファしたサファイア基板上にSrTiO₃(STO)膜を成長させて誘電率,結晶構造,及び欠陥に及ぼす格子不整合に起因する膜応力の影響を調べた。膜応力に従う面外格子定数の変化により強誘電相転移温度が変化することが報告されている。STOの膜厚による誘電率及びXRDロッキング曲線のFWHM変化を測定した。また顕微鏡観察の結果STOの膜厚が525nmになるとクラックの発生が認められた。このクラック発生の臨界厚みd_cをMatthews理論の不整合転位による場合(d_c<1nm),及び熱応力による場合(d_c<30nm)と比較して論じた。

シソーラス用語： *常誘電体 ,  *チタン酸ストロンチウム ,  エピタクシー ,  基板 ,  サファイア ,  バッファ層 ,  酸化セリウム ,  *薄膜成長 ,  膜応力 ,  相転移 ,  強誘電性 ,  膜厚 ,  誘電率 ,  亀裂発生 ,  長さ
準シソーラス用語： 圧力誘起相転移 ,  初期強誘電性 ,  臨界寸法

分類 (2件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： サファイア ,  エピタキシャル ,  モホロジー ,  応力 ,  改変