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J-GLOBAL ID：201202246398957306   整理番号：12A0549580

ソーラーセル構造におけるAlO_x/SiO₂/Si界面の陽電子消滅研究

Positron annihilation studies of the AlO_x/SiO₂/Si interface in solar cell structures

著者 (5件)： EDWARDSON C. J. (Dep. of Physics, Univ. of Bath, Bath BA2 7AY, GBR) ,  COLEMAN P. G. (Dep. of Physics, Univ. of Bath, Bath BA2 7AY, GBR) ,  LI T.-t. A. (Coll. of Engineering and Computer Sci., The Australian National Univ., Canberra, ACT 0200, AUS) ,  CUEVAS A. (Coll. of Engineering and Computer Sci., The Australian National Univ., Canberra, ACT 0200, AUS) ,  RUFFELL S. (Res. School of Physics and Engineering, The Australian National Univ., Canberra, ACT 0200, AUS)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 5  ページ： 053515-053515-5  発行年： 2012年03月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si基板上に熱原子層蒸着(ALD)で成長した30および60nm厚AlO_x薄膜とスパッタリングでの30nm厚AlO_x薄膜の薄膜と薄膜/基板界面特性を可変エネルギー陽電子消滅分光法(VEPAS)とDopplerブロードニングスペクトル比曲線を使い調べた。成長方法と無関係に,熱処理によって,陽電子をトラップする界面が全試料で見出された。熱ALDはSiO_x/Si境界のSi側で陽電子捕獲と陽電子消滅を伴うAlO_x/SiO_x/Si界面を発生させる。界面の次のSiに誘起された正電荷が酸化物中への拡散を減らし,Si中の消滅を増加する。この領域において,熱処理前の二重空孔タイプ応答が(20±2%)で,熱処理後に47±2%に増加している。スパッタリングでは同じ静電遮蔽を持つ試料は造られないようで,代わりに蒸着状態のSiO_x界面内に陽電子捕獲が直接起き,SiO₂層が形成されるような熱処理後にそれへの陽電子反応が増加する。薄膜タイプの全部で,薄膜熱処理は薄膜酸素反応を下げる効果を持っている。他の構造特性評価手法と比較すると,VEPASは薄膜調製法および蒸着状態と熱処理試料間の相違に対してより大きい感度を示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 半導体素子 ,  太陽電池 ,  ウエハ【IC】 ,  *ケイ素 ,  *二酸化ケイ素 ,  *酸化アルミニウム ,  誘電体薄膜 ,  *界面 ,  固相 ,  *陽電子消滅 ,  スペクトロスコピー ,  化学蒸着 ,  単原子層 ,  スパッタリング ,  拡幅 ,  Doppler効果 ,  電子捕獲 ,  陽電子 ,  熱処理
準シソーラス用語： Dopplerブロードニング ,  シリコンウエハ ,  原子層蒸着 ,  *固固界面 ,  陽電子消滅スペクトロスコピー ,  陽電子捕獲

分類 (2件)： 陽電子消滅  (BK16052L) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (6件)： セル構造 ,  SiO2 ,  Si ,  界面 ,  陽電子消滅 ,  研究