文献

J-GLOBAL ID：201202246498927668   整理番号：12A1429090

イオン移送のヘテロ接合障壁を用いた,酸化還元系固体メモリーデバイスにおける揮発性の制御

Controlling volatility in solid-state, redox-based memory devices using heterojunction barriers to ion transport

著者 (4件)： KUMAR M.Ramesh (Univ. Manitoba, Manitoba, CAN) ,  RAHMAN G.M.Aminur (Univ. Manitoba, Manitoba, CAN) ,  THOMSON Douglas J. (Univ. Manitoba, Manitoba, CAN) ,  FREUND Michael S. (Univ. Manitoba, Manitoba, CAN)
資料名： Chemical Communications  (Chemical Communications)
巻： 48  号： 75  ページ： 9409-9411  発行年： 2012年09月28日 
JST資料番号： D0376B  ISSN： 1359-7345  CODEN： CHCOFS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化還元系メモリーデバイスにおける揮発性およびリード/ライトスピードを制御に,イオン移送障壁を用いた。障壁材料および障壁厚さを最適化することで,DRAMあるいはSRAMとして操作できると考えられる。本研究では伝導状態にある共役高分子を金属酸化物と代わりにドープされた共役高分子間の界面層として用い,マイクロあるいはナノ秒のタイムスケールでリード/ライト時間を短縮し,接合サイズをナノメータースケールまで縮小した。

シソーラス用語： *記憶装置 ,  *揮発性 ,  *ヘテロ接合 ,  *障壁 ,  *ドリフト ,  重合体 ,  境界層 ,  酸化タングステン ,  ポリチオフェン ,  ポリピロール ,  イオン輸送
準シソーラス用語： *イオンドリフト ,  界面層 ,  共役高分子

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (8件)： イオン ,  移送 ,  ヘテロ接合 ,  障壁 ,  酸化還元 ,  固体 ,  メモリーデバイス ,  揮発性