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J-GLOBAL ID：201202246636843446   整理番号：12A0779251

アクセプタドーパントフリーで正の温度係数のサーミスタの微細構造進化および電気特性進化

Microstructural and electrical property evolution in an acceptor-dopant free positive temperature coefficient thermistor

著者 (2件)： LEACH C. (Materials Sci. Centre, School of Materials, Univ. of Manchester, Manchester M1 7HS, GBR) ,  ZUBAIR M.a. (Materials Sci. Centre, School of Materials, Univ. of Manchester, Manchester M1 7HS, GBR)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 15  号： 1  ページ： 47-51  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドナードーパントを含むがアクセプタドーピングを用いない正の抵抗温度係数の半導体BaTiO₃系サーミスタの抵抗率-温度特性に及ぼす1270-1430°Cの範囲での可変焼結温度の影響をインピーダンス分光法により研究した。焼結温度を上げると,Curie温度周辺での試料の抵抗率が減少する一方で,Curie温度以上で得たピーク抵抗率はほぼ一定を維持している。焼結温度の上昇に伴うPTC挙動の変化は標準二重Schottky障壁モデルと一致しないが,このPTC挙動の変化を,焼結温度に依存しない粒界障壁層厚(0.50±0.004μm)と結合した粒径変動により説明する。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *微細構造 ,  *サーミスタ ,  アクセプタ ,  ドーパント ,  *エレクトロセラミック ,  *結晶粒界 ,  スペクトロスコピー ,  ドナー ,  *温度係数 ,  チタン酸バリウム ,  *電気抵抗率 ,  加熱温度 ,  Curie温度 ,  Schottky障壁 ,  結晶粒径
準シソーラス用語： インピーダンス分光法 ,  正抵抗温度係数 ,  焼結温度

分類 (1件)： 熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (5件)： 温度係数 ,  サーミスタ ,  微細構造進化 ,  電気特性 ,  進化