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J-GLOBAL ID：201202246768415397   整理番号：12A0735380

大電力MOSFETがウエハの薄型化とパッケージ技術の進歩で発達を続けている

POWER MOSFETs CONTINUE TO EVOLVE, THANKS TO WAFER THINNING AND INNOVATIVE PACKAGING

著者 (1件)： CONNER Margery
資料名： EDN  (EDN)
巻： 57  号： 3  ページ： 24-28  発行年： 2012年02月02日 
JST資料番号： E0341B  ISSN： 0012-7515  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCやGaN等の広バンドギャップ材料の採用でスィッチング式大電力トランジスタの変換能率が向上したが,Si-MOSFETも進歩を続けている。10~15年前にはSi大電力素子は一旦進歩が停滞したが,ウエハの薄型化とパッケージ技術の進歩で再び性能向上の時代に入った。大電力MOSFETは竪型構造だからウエハの厚さと研磨技術が性能を支配するが,現在では厚さ2ミルが一般化した。半導体メーカーでは10年来,8インチ・ウエハで1GBTの製品が普及した。素子自体の抵抗が低下してパッケージ内部の抵抗や素子とリード線間の寄生インダクタンスが重要になった。在来型の素子と比較してON抵抗が,ウエハの薄型化で25%,チップ配線方法の進歩で20%低下した。またリード線なしでチップと基板間を接続する拡散はんだ付け技法も素子抵抗の低下に寄与している。

シソーラス用語： *MOSFET ,  電力トランジスタ ,  ウエハ【IC】 ,  ICパッケージ ,  *半導体プロセス
準シソーラス用語： 電力MOSFET

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電力MOSFET ,  ウエハ ,  薄型化 ,  パッケージ ,  発達