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J-GLOBAL ID：201202246825558132   整理番号：12A0996532

Ni/グラフェン/Ni垂直ヘテロ構造における有限バイアス電圧で駆動する磁気抵抗と負性微分抵抗

Magnetoresistance and negative differential resistance in Ni/graphene/Ni vertical heterostructures driven by finite bias voltage: A first-principles study

著者 (4件)： SAHA Kamal K. (Univ. Delaware, Delaware, USA) ,  BLOM Anders (Quantum Wise A/S, Copenhagen, DNK) ,  THYGESEN Kristian S. (Technical Univ. Denmark, Kongens Lyngby, DNK) ,  NIKOLIC Branislav K. (Univ. Delaware, Delaware, USA)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 85  号： 18  ページ： 184426.1-184426.6  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *素子構造 ,  ニッケル ,  炭素材 ,  グラファイト ,  輸送現象 ,  *磁気抵抗 ,  *負性抵抗 ,  電圧 ,  バイアス ,  トンネル接合 ,  密度汎関数法 ,  Green関数 ,  トルク ,  積層構造 ,  グラフェン
準シソーラス用語： スピントルク ,  *トンネル磁気抵抗 ,  バイアス電圧 ,  磁気トンネル接合 ,  多層グラフェン ,  負性微分抵抗 ,  量子輸送 ,  *ヘテロ構造

分類 (1件)： その他の接合  (BM03088W)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ni ,  グラフェン ,  垂直 ,  ヘテロ構造 ,  バイアス電圧 ,  磁気抵抗 ,  負性微分抵抗