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J-GLOBAL ID：201202246840160617   整理番号：12A1226437

N-ドープ グラフェンのドーパントの結合型と電子構造を結びつける

Connecting Dopant Bond Type with Electronic Structure in N-Doped Graphene

著者 (17件)： SCHIROS Theanne (Columbia Univ., New York, USA) ,  NORDLUND Dennis (Stanford Linear Accelerator Center, California, USA) ,  PALOVA Lucia (Columbia Univ., New York, USA) ,  PREZZI Deborah (Nanoscience Inst., CNR, Modena, ITA) ,  ZHAO Liuyan (Columbia Univ., New York, USA) ,  KIM Keun Soo (Sejong Univ., Seoul, KOR) ,  WURSTBAUER Ulrich (Columbia Univ., New York, USA) ,  GUTIERREZ Christopher (Columbia Univ., New York, USA) ,  DELONGCHAMP Dean (National Inst. Standards and Technol., Maryland, USA) ,  JAYE Cherno (National Inst. Standards and Technol., Maryland, USA) ,  FISCHER Daniel (National Inst. Standards and Technol., Maryland, USA) ,  OGASAWARA Hirohito (Stanford Linear Accelerator Center, California, USA) ,  PETTERSSON Lars G. M. (Stockholm Univ., Stockholm, SWE) ,  REICHMAN David R. (Columbia Univ., New York, USA) ,  KIM Philip (Columbia Univ., New York, USA) ,  HYBERTSEN Mark S. (Brookhaven National Lab., New York, USA) ,  PASUPATHY Abhay N. (Columbia Univ., New York, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 12  号： 8  ページ： 4025-4031  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元材料のデバイス応用範囲へのインパクトの可能性の故に,化学修飾によってグラフェンのユニークな電子特性を調整するロバストな方法が強く求められている。ここでは,炭素及び窒素の内殻準位の共鳴X線分光が,単層グラフェンに導入した化学ドーパントの化学結合と電子構造の感度の良い探査法であることを示す。密度汎関数による計算と連携して,サブパーセントレベルの窒素をドープしたグラフェンの結合型と電子構造の詳細な描像を得ることができた。黒鉛型,ピリジン型及びニトリル型などの異なる窒素結合型が,単一の窒素希薄ドープのグラフェンシート中に存在できることを示す。さらに,これらの種々の結合型が著しく異なる効果をキャリア濃度に及ぼし,グラフェンエレクトロニクスの進歩においてドーパント結合型の制御が決定的に必要であることを示した。

シソーラス用語： *窒素 ,  *グラファイト ,  X線分光法 ,  内殻準位 ,  *ドーパント ,  *型 ,  キャリア密度 ,  *電子構造
準シソーラス用語： キャリア濃度 ,  ニトリル型 ,  ピリジン型 ,  *結合型 ,  黒鉛型 ,  *単層グラフェン

分類 (3件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドープ ,  グラフェン ,  ドーパント ,  電子構造