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J-GLOBAL ID：201202246905966002   整理番号：12A0746085

InGaN/GaN青色発光ダイオードのための効率的な電流スプレッデイング電極としての金属中間層をもつ化学的に修飾した多層グラフェン

Chemically modified multilayer graphene with metal interlayer as an efficient current spreading electrode for InGaN/GaN blue light-emitting diodes

著者 (11件)： CHANDRAMOHAN S (Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  KANG Ji Hye (Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  KATHARRIA Y S (Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  HAN Nam (Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  BEAK Yun Seon (Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  KO Kang Bok (Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  PARK Jong Bae (Korea Basic Sci. Inst. (KBSI), Jeonju, KOR) ,  RYU Beo Deul (Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  KIM Hyun Kyu (Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  SUH Eun-Kyung (Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  HONG Chang-Hee (Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 45  号： 14  ページ： 145101,1-10  発行年： 2012年04月11日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高効率で高出力のInGaN/GaN青色発光ダイオードを実現するために,高効率の電流スプレッデイング電極として,AuCl₃を化学ドーピングした多層グラフェンを用いる方法を開発した。化学ドーピングにより多層グラフェンの仕事関数を4.21-4.93eVの範囲内で任意に調整でき,そのシート抵抗も大幅に改善することが出来る。また,このグラフェンとp-GaNとの界面に新たに金の薄膜層を挿入することにより,グラフェンとp-GaNとの電気的界面特性を大幅に改善できる。論文では化学ドーピングしたグラフェンを基板上に移すプロセスおよびデバイスを組み立てるプロセスを詳細に説明した。また,調製したグラフェンのキャラクタリゼーションを原子間力顕微鏡,ラマン散乱,透過電子顕微鏡およびX線光電子分光により行った結果を詳しく述べた。また,Au/Ti/グラフェン,グラフェン/p-GaN,グラフェン/Au/p-GaN,ドープしたグラフェン/p-GaNコンタクト,の電流-電圧特性を測定し,提案した化学修飾グラフェンの特性を議論した。

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  化学修飾 ,  *窒化ガリウム ,  *インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  化合物半導体 ,  効率 ,  *炭素材 ,  ドーピング ,  塩化金 ,  *電極 ,  層 ,  仕事関数 ,  シート抵抗 ,  金 ,  金属薄膜 ,  原子間力顕微鏡 ,  X線光電子スペクトル ,  透過型電子顕微鏡 ,  Ramanスペクトル ,  電流電圧特性 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *青色発光ダイオード ,  窒化ガリウムインジウム ,  高効率 ,  多層グラフェン ,  化学ドーピング ,  電流スプレッデイング電極 ,  中間層

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： InGaN ,  GaN ,  青色発光ダイオード ,  中間層 ,  化学 ,  修飾 ,  多層グラフェン