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J-GLOBAL ID：201202246909681843   整理番号：12A1102822

半導体ナノワイヤのキンク生成および超構造の化学的制御

Chemical Control of Semiconductor Nanowire Kinking and Superstructure

著者 (2件)： MUSIN Ildar R. (Georgia Inst. Technol., Georgia, USA) ,  FILLER Michael A. (Georgia Inst. Technol., Georgia, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 12  号： 7  ページ： 3363-3368  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ケイ素基板上に金触媒VLS法によりゲルマニウム単結晶ナノワイヤを成長させた。走査電子顕微鏡,高分解能電子顕微鏡,X線光電子スペクトルによりキャラクタリゼーションを行った。ゲルマン前駆体では<111>面配向成長であるが,前駆体をメチルゲルマンに切り替えると成長面は<110>に変化し,ナノワイヤは折れ曲がって成長を続けた。メチルゲルマンは側壁のテーパ化を抑制し,475°Cの高温でも成長が可能であり,けい素/ゲルマニウムヘテロ構造作製の温度窓が広く取れることが利点と結論した。

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *ナノワイヤ ,  単結晶 ,  *結晶成長 ,  キンク ,  構造 ,  ウエハ【IC】 ,  金化合物 ,  遷移金属触媒 ,  走査電子顕微鏡 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  X線光電子スペクトル ,  ゲルマン ,  *結晶面 ,  素子構造 ,  *前駆体 ,  結晶学 ,  工学
準シソーラス用語： ケイ素基板 ,  金触媒 ,  結晶工学 ,  超構造 ,  ヘテロ構造

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  固-気界面一般  (CB12041H)

物質索引 (1件)： メチルゲルマン

タイトルに関連する用語 (2件)： 半導体ナノワイヤ ,  キンク