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J-GLOBAL ID:201202246927153226   整理番号:12A1311287

Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3膜におけるパイロクロア相の分布とPb(Zr0.52Ti0.48)O3界面相の抑制

Distribution of pyrochlore phase in Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 films and suppression with a Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 interfacial layer
著者 (4件):
資料名:
巻: 520  号: 24  ページ: 7071-7075  発行年: 2012年10月01日 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)界面層が有り無しでのPt/Ti/SiO2/Si(Pt/Si)基板上のリラクサー強誘電体Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PMN-PT)の薄膜を研究した。ペロブスカイトとパイロクロアの共存がPZT界面相のない場合のPMN-PT薄膜において観察された。興味深いことに,ほとんどのパイロクロア相はシングルコートフィルム中およびマルチコーティングされたフィルムの最初の層内で観察された。パイロクロア相は平均寸法約25nmの粒子を持ちペロブスカイト相(約90nm)のものよりも小さいことを示した。これとは対照的に,PZTの界面層上に成長させたPMN-PT薄膜に対し,PMN-PT層と基板との間の界面でパイロクロア相の形成が完全に抑制されている。さらにまた,小さな粒子はPZT界面層を有する薄膜内では観察されていない。PZT層の有無によるPMN-PT薄膜の分極・電界(P-E)ヒステリシスループを測定すると,PZT界面層が使用されているときに強化電気特性が得られることがわかる。これらの強化された特性には2.7から5.8μC・cm2への残留分極Prの増加と60.5から28.0kV/cmへの抗電界Ecの減少を含んでいる。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
分類
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酸化物薄膜  ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性 
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