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J-GLOBAL ID：201202247249001409   整理番号：12A1337192

フェムト秒レーザで超高濃度の硫黄をドープしたシリコンに関する後方散乱電子回折

Electron backscatter diffraction on femtosecond laser sulfur hyperdoped silicon

著者 (5件)： GIMPEL Thomas (Fraunhofer Heinrich Hertz Inst. (HHI), Am Stollen 19B, D-38640 Goslar, DEU) ,  HOEGER Ingmar (Inst. of Photonic Technol., Albert Einstein Strasse 9, D-07745 Jena, DEU) ,  FALK Fritz (Inst. of Photonic Technol., Albert Einstein Strasse 9, D-07745 Jena, DEU) ,  SCHADE Wolfgang (Fraunhofer Heinrich Hertz Inst. (HHI), Am Stollen 19B, D-38640 Goslar, DEU) ,  KONTERMANN Stefan (Fraunhofer Heinrich Hertz Inst. (HHI), Am Stollen 19B, D-38640 Goslar, DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 11  ページ： 111911-111911-3  発行年： 2012年09月10日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この論文では,シリコンウエハの結晶性に対するフェムト秒レーザパルスの照射効果を,後方散乱電子回折(EBSD)測定によって研究した結果を報告する。EBSDを基本とする画質マップと方位画像顕微鏡マップは,シリコンの結晶性の品質と相関を持つことが分かった。巨視的な領域を処理するのに必要な,例えば半導体素子における硫黄のドーピングにおいて必要なレーザスポットの重なりに起因する蓄積された正味のレーザ照射量の影響を解析した。更に,処理後アニーリングによって結晶性が回復し,結果としてフェムト秒レーザで処理されたシリコンを半導体素子の作製に用いることが可能になることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： パルスレーザ照射 ,  フェムト秒 ,  *フォトドーピング ,  *硫黄 ,  *ケイ素 ,  半導体 ,  電子回折 ,  後方散乱 ,  結晶度 ,  結晶方位 ,  焼なまし
準シソーラス用語： *レーザドーピング ,  画像化

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S)

タイトルに関連する用語 (6件)： フェムト秒レーザ ,  高濃度 ,  硫黄 ,  ドープ ,  シリコン ,  後方散乱電子回折