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J-GLOBAL ID：201202247262285238   整理番号：12A0838357

隣接するSiC基板上のグラフェンナノ構造に関する偏光Raman散乱検討

Polarized Raman scattering study on graphene nanostructures on vicinal SiC substrate

著者 (7件)： KAMOI Susumu (Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN) ,  KISODA Kenji (Wakayama Univ., Wakayama, JPN) ,  HASUIKE Noriyuki (Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN) ,  HARIMA Hiroshi (Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN) ,  KURISU Yusuke (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  TANAKA Satoru (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  HASHIMOTO Akihiro (Univ. Fukui, Fukui, JPN)
資料名： フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム講演要旨集  (Abstracts. Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium)
巻： 42nd  ページ： 173  発行年： 2012年03月06日 
JST資料番号： L1472A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *炭素材 ,  *ナノ構造 ,  リボン結晶 ,  *炭化ケイ素 ,  *基板 ,  黒鉛化 ,  エピタクシー ,  近接場 ,  昇華 ,  *偏光角 ,  *Raman散乱 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： エピタキシャル成長 ,  *ナノリボン

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  固相転移  (BL04020G) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC基板 ,  グラフェン ,  ナノ構造 ,  偏光 ,  Raman散乱