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J-GLOBAL ID：201202247344666302   整理番号：12A0826616

半導体産業の明日を探る 次世代リソグラフィ用マスクの現状と課題

著者 (1件)： 秋間慎二 (凸版印刷)
資料名： クリーンテクノロジー  (Clean Technology)
巻： 22  号： 6  ページ： 15-18  発行年： 2012年06月10日 
JST資料番号： L1138A  ISSN： 0917-1819  CODEN： KTEKER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本稿では,リソグラフィ技術の延命を支えている光近接効果補正(OPC),位相シフトマスク,計算機リソグラフィや次世代露光のEUVL向けマスクの技術動向に関して解説した。マスクパターンの投影露光で劣化が発生しやすいのは,パターン角部の丸まりや細いラインパターン端部の後退である。このような転写パターンの劣化は,マスク上でパターン角部やパターン端部の形状を補正することにより改善される。このような一連のマスクパターン修正がOPCである。また,微細化の進行により,パターンの分離解像能力が低下する課題の解決法として,マスクの隣接するパターン間で光に位相差を持たせ,パターン間に発生するかぶりを打ち消しあい転写パターンの解像力低下を防ぐ方法が開発された。このようなマスクが位相シフトマスクである。

シソーラス用語： 半導体プロセス ,  *リソグラフィー ,  マスク ,  パターン形成 ,  *回路パターン形成 ,  補正 ,  近接効果 ,  計算機シミュレーション ,  CAM【生産】 ,  精密加工
準シソーラス用語： 計算機リソグラフィー ,  光近接効果補正 ,  露光装置

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 半導体産業 ,  次世代 ,  リソグラフィ ,  マスク ,  現状