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J-GLOBAL ID：201202247352268227   整理番号：12A1028580

酸化ケイ素で覆われたp型テルル化亜鉛ナノワイヤの同軸ナノケーブル 合成,キャラクタリゼーション,特性

Coaxial nanocables of p-type zinc telluride nanowires sheathed with silicon oxide: synthesis, characterization and properties

著者 (11件)： CAO Y L (City Univ. of Hong Kong, HKG) ,  TANG Y B (City Univ. of Hong Kong, HKG) ,  LIU Y (City Univ. of Hong Kong, HKG) ,  LIU Z T (City Univ. of Hong Kong, HKG) ,  LUO L B (City Univ. of Hong Kong, HKG) ,  HE Z B (City Univ. of Hong Kong, HKG) ,  JIE J S (City Univ. of Hong Kong, HKG) ,  VELLAISAMY Roy (City Univ. of Hong Kong, HKG) ,  ZHANG W J (City Univ. of Hong Kong, HKG) ,  LEE C S (City Univ. of Hong Kong, HKG) ,  LEE S T (City Univ. of Hong Kong, HKG)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 20  号： 45  ページ： 455702 (7 PP.)  発行年： 2009年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単結晶性テルル化亜鉛(ZnTe)ナノワイヤコアと非晶質酸化ケイ素(SiO_x)シェルからなる同軸ナノケーブルを金修飾ケイ素基板上に簡単な一段階化学気相蒸着法(CVD)法を用いて合成した。単結晶ZnTeナノワイヤコアは[111]方向に沿った閃亜鉛構造をとるが,均一SiO_xシェルは完全にコアを覆い,ピンホールやクラックは見られない。ZnTe-SiO_xナノケーブル形成機構を議論した。ZnTeナノワイヤコアはp型電気特性を示したがSiO_xシェルは有効的に絶縁層としてふるまった。ZnTe-SiO_xナノケーブルはp型FETやナノセンサなどのナノスケールデバイスにおいて潜在的な応用がありうる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *テルル化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  *酸化ケイ素 ,  非晶質半導体 ,  *ナノワイヤ ,  *構造 ,  ナノ構造 ,  化学蒸着 ,  キャラクタリゼーション ,  固体素子 ,  *コアシェル構造
準シソーラス用語： CVD【化学蒸着】 ,  ナノケーブル ,  ナノデバイス

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 酸化ケイ素 ,  テルル化亜鉛 ,  ナノワイヤ ,  同軸 ,  ナノケーブル ,  キャラクタリゼーション