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J-GLOBAL ID：201202247624321467   整理番号：12A1053283

自立GaAsエピタキシャルメソスコピック構造におけるサブピコ秒電子正孔再結合時間とテラヘルツ帯域幅光応答

Subpicosecond electron-hole recombination time and terahertz-bandwidth photoresponse in freestanding GaAs epitaxial mesoscopic structures

著者 (6件)： MIKULICS Martin (Peter Gruenberg Inst. PGI-9, Forschungszentrum Juelich, D-52425 Juelich, Germany and Juelich-Aachen Res. Alliance ...) ,  ZHANG Jie (Dep. of Electrical and Computer Engineering and Lab. for Laser Energetics, Univ. of Rochester, Rochester, New York ...) ,  SERAFINI John (Dep. of Physics and Astronomy and Lab. for Laser Energetics, Univ. of Rochester, Rochester, New York 14627-0231, USA) ,  ADAM Roman (Peter Gruenberg Inst. PGI-6, Forschungszentrum Juelich, D-52425 Juelich, DEU) ,  GRUETZMACHER Detlev (Peter Gruenberg Inst. PGI-9, Forschungszentrum Juelich, D-52425 Juelich, Germany and Juelich-Aachen Res. Alliance ...) ,  SOBOLEWSKI Roman (Dep. of Electrical and Computer Engineering and Lab. for Laser Energetics, Univ. of Rochester, Rochester, New York ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 3  ページ： 031111-031111-4  発行年： 2012年07月16日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トップダウン法で作製し,選択した基板上に転写し,コプレーナストリップ線路に取込んだ自立ホイスカや小板などのGaAs単結晶メソスコピック構造からの超高速(THz帯域幅)光応答を示した。個々のホイスカ光検出器から~600fsの短い電気過渡現象を記録した。光応答電気信号の周波数スペクトルを解析し,筆者らの素子が内因的に~150fsのキャリア寿命と320fsの全体応答で特徴付けられることを示した。対応する3dB周波数帯域幅は1.3THzで,GaAs系光検出器に対してこれ迄に報告されている中で最も広かった。同時に,高品質のエピタキシャル成長結晶として,これらのGaas構造は~7300cm²/V・sの高い移動度,極めて低い暗電流,~7%の固有検出効率を示し,実験で測定した~1psの光応答繰返し時間と併せて,これらは超高速光検出器や計数器からTHz帯域幅の光-電気変換器や光混合器まで,THz周波数のオプトエレクトロニック応用に他に例を見ないほど適する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  半導体材料 ,  化合物半導体 ,  エピタクシー ,  キャリア再結合 ,  *電磁波 ,  応答 ,  *光検出器 ,  スペクトル ,  キャリア寿命 ,  *テラヘルツ波
準シソーラス用語： 光応答 ,  周波数スペクトル ,  電子-正孔再結合

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (7件)： 自立 ,  GaAs ,  サブピコ秒 ,  電子正孔再結合 ,  テラヘルツ ,  帯域幅 ,  光応答