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J-GLOBAL ID：201202247887499953   整理番号：12A0733245

炭化水素ラジカルCH_x(x=1,2,3)のグラフェン成長における役割: 理論的展望

Role of Hydrocarbon Radicals CH_x (x=1, 2, 3) in Graphene Growth: A Theoretical Perspective

著者 (3件)： WANG Chong (Jilin Univ., Changchun, CHN) ,  XIAO Bo (Jilin Univ., Changchun, CHN) ,  DING Yi-hong (Jilin Univ., Changchun, CHN)
資料名： ChemPhysChem  (ChemPhysChem)
巻： 13  号： 3  ページ： 774-779  発行年： 2012年02月27日 
JST資料番号： W1265A  ISSN： 1439-4235  CODEN： CPCHFT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンの多くの優秀な特性は構造欠陥の存在により遮断されている。今回,プラズマ増強化学蒸着(PECVD)に基づくグラフェン成長に対する重要な修理機構を提出した。単一の空位を持つグラフェンを分解メタン,即ち炭化水素ラジカルCH_x(x=1,2,3)により修理する。修理過程は3つの発展段階で行われる。1)炭化水素ラジカルの化学吸着,2)炭化水素ラジカルのC原子の欠陥グラフェンへの挿入と分離したH原子のグラフェンへの吸着,3)吸着した水素の原子と分子の除去により完全なグラフェンを生成する。全体の修理過程は密度汎関数計算によると無障壁で各段階で530.79,290.67,および159.04kcal/molの大きな熱放出を伴い,単一空位を持つグラフェンの炭化水素ラジカルによる修理が容易であることを示す。従ってグラフェン生成のPECVD法の優秀な性能はCH_x(x=1,2,3)種の炭素源としておよび欠陥修復剤としての二重の役割によるとすることができる。

シソーラス用語： *プラズマCVD ,  *炭素材 ,  *格子欠陥 ,  *カルベン ,  *挿入反応 ,  水素 ,  化学吸着 ,  ポテンシャル障壁 ,  発熱反応 ,  反応熱 ,  密度汎関数法 ,  アルカン ,  アルキルラジカル ,  *グラフェン

分類 (3件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

物質索引 (3件)： メタン ,  メチルラジカル ,  メチンラジカル

タイトルに関連する用語 (7件)： 炭化 ,  水素ラジカル ,  グラフェン ,  成長 ,  役割 ,  理論 ,  展望