文献

J-GLOBAL ID：201202248073455595   整理番号：12A1212739

Si上に蒸着したGeにおける高応答性近赤外検出器

High responsivity near-infrared photodetectors in evaporated Ge-on-Si

著者 (7件)： SORIANELLO V. (NooEL-Nonlinear Optics and OptoElectronics Lab., Univ. Roma Tre, Via della Vasca Navale 84, 00146 Rome, ITA) ,  DE IACOVO A. (NooEL-Nonlinear Optics and OptoElectronics Lab., Univ. Roma Tre, Via della Vasca Navale 84, 00146 Rome, ITA) ,  COLACE L. (NooEL-Nonlinear Optics and OptoElectronics Lab., Univ. Roma Tre, Via della Vasca Navale 84, 00146 Rome, ITA) ,  FABBRI A. (Surface Analysis Lab., Physics Dep., Univ. Roma Tre, Via della Vasca Navale 84, 00146 Rome, ITA) ,  TORTORA L. (Surface Analysis Lab., Physics Dep., Univ. Roma Tre, Via della Vasca Navale 84, 00146 Rome, ITA) ,  BUFFAGNI E. (Inst. IMEM-CNR, Parco Area delle Scienze 37/A, 43124 Parma, ITA) ,  ASSANTO G. (NooEL-Nonlinear Optics and OptoElectronics Lab., Univ. Roma Tre, Via della Vasca Navale 84, 00146 Rome, ITA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 8  ページ： 081101-081101-4  発行年： 2012年08月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲルマニウムは珪素光チップ上に近赤外検出器をモノリシック集積するための最適半導体と考えられている。本論文では,熱蒸着で作製したSi上Ge光検出器を報告すると共に,転位で導入されたアクセプタ状態を補償する燐スピン-オン-ドーパントの利用を実証した。検出器は0.1A/Wの高い1.55μm応答性を示し,これは非ドープ素子よりも二桁も高く,最先端のp-i-nフォトダイオードに匹敵する。本手法は珪素フォトニクスによる近赤外センサの単純で安価なモノリシック集積を可能にする。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *赤外検出器 ,  近赤外線 ,  *ゲルマニウム ,  *半導体集積回路 ,  薄膜成長
準シソーラス用語： *モノリシック集積

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  蒸着 ,  Ge ,  応答性 ,  近赤外 ,  検出器