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J-GLOBAL ID：201202248110814398   整理番号：12A0867544

高パワーマグネトロンスパッタリング中の堆積速度損失の理解 電離駆動電場

Understanding deposition rate loss in high power impulse magnetron sputtering: I. Ionization-driven electric fields

著者 (9件)： BRENNING N (Royal Inst. of Technol., Stockholm, SWE) ,  HUO C (Royal Inst. of Technol., Stockholm, SWE) ,  LUNDIN D (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  RAADU M A (Royal Inst. of Technol., Stockholm, SWE) ,  VITELARU C (Univ. Paris Sud-XI, Orsay, FRA) ,  VITELARU C (Fac. of Physics Al I Cuza Univ., Iasi, ROM) ,  STANCU G D (Univ. Paris Sud-XI, Orsay, FRA) ,  MINEA T (Univ. Paris Sud-XI, Orsay, FRA) ,  HELMERSSON U (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
資料名： Plasma Sources Science and Technology  (Plasma Sources Science and Technology)
巻： 21  号： 2  ページ： 025005,1-9  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： W0479A  ISSN： 0963-0252  CODEN： PSTEEU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高パワーインパルスマグネトロンスパッタリング(HiPIMS)の成膜速度は平均パワーが同等の直流マグネトロンスパッタリングに比べて低いのが欠点である。その原因は,一旦基板に堆積したスパッタリング材料が再びターゲットに還流するためとされている。この機構を解明し,欠点を改善するため,HiPIMS放電の電離領域から陰極に広がる拡張シースにおけるE_z電場とそれが電離したスパッタリング材料の輸送に及ぼす影響を理論と実験を通じて調べた。改善が図れるパラメータ範囲は狭く,最適化条件との距離を測る尺度としてTawnsend積という新たなパラメータΠ_Townsendを導入する。種々の条件のもとでの最適化の問題を考察する。

シソーラス用語： *マグネトロンスパッタリング ,  *輸送現象 ,  最適化 ,  プラズマさや ,  *電場 ,  イオン化
準シソーラス用語： 高パワーインパルスマグネトロンスパッタリング ,  電離

分類 (1件)： プラズマ応用  (BJ02110K)

タイトルに関連する用語 (7件)： パワー ,  マグネトロンスパッタリング ,  堆積速度 ,  損失 ,  理解 ,  電離 ,  電場